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IPD70P04P4L08ATMA2

Name: Infineon IPD70P04P4L08ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPD70P04P4L08ATM
Price: 1.25 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IPD70P04P4L08ATM

Herst.- Nr.:

IPD70P04P4L08ATMA2

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

Datenblatt:

IPD70P04P4L08ATMA2 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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	1.25 CHF	1.25 CHF
	0.833 CHF	8.33 CHF
	0.653 CHF	65.30 CHF
	0.55 CHF	275.00 CHF
	0.503 CHF	503.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	0.453 CHF	1 132.50 CHF
	0.445 CHF	2 225.00 CHF

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DPAK-3 (TO-252-3)
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	70 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	9.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 16 V, 5 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.7 V
Qg - Gate-Ladung:	71 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	75 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Infineon Technologies
Abfallzeit:	4 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	10 ns
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	50 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	12 ns
Artikel # Aliases:	IPD70P04P4L-08 SP002325772
Gewicht pro Stück:	4 g

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Datenblatt

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Österreich
Herstellungsland:: Malaysia
Land der Verbreitung:: Österreich

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

OptiMOS®-P2 Automotive-MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS®P2 Automotive-MOSFETs bieten ein umfassendes Portfolio von p-Kanal-Automotive-Leistungs-MOSFETs mit der Technologie von OptiMOS-P2 und Gen5. Die Automotive-MOSFETs sind AEC-qualifiziert und unterstützen eine Betriebstemperatur von 175°C. Die OptiMOS-P2 Automotive-MOSFETs von Infineon sind in DPAK-, D2PAK-, TO220-, TO262- und SO8-Gehäusen verfügbar.