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IXYJ20N120C3D1

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXYJ20N120C3D1

Herst.- Nr.:

IXYJ20N120C3D1

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

IGBTs XPT 1200V IGBT GenX7 XPT IGBT

Lebenszyklus:

abgekündigt

Datenblatt:

IXYJ20N120C3D1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Versandmeldung:

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Verfügbarkeit

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	IGBTs
Versandbeschränkungen:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
RoHS:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	1.2 kV
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	4 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	21 A
Pd - Verlustleistung:	105 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Serie:	IXYJ20N120
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Kollektorgleichstrom Ic max.:	21 A
Kriechstrom Gate-Emitter:	100 nA
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	IGBTs
Handelsname:	XPT
Gewicht pro Stück:	38 g

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Datenblatt

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PCN

Product Change Notification (PDF)

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Philippinen
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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