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IXGA30N120B3

Name: IXYS IXGA30N120B3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXGA30N120B3
Price: 10.84 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXGA30N120B3

Herst.- Nr.:

IXGA30N120B3

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

IGBTs GenX3 1200V IGBT

Datenblatt:

IXGA30N120B3 Datenblatt

ECAD Model:

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	7.03 CHF	703.00 CHF
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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technology:	Si
Package / Case:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Mounting Style:	SMD/SMT
Configuration:	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage:	3.05 V
Maximum Gate Emitter Voltage:	- 20 V, 20 V
Continuous Collector Current at 25 C:	60 A
Pd - Power Dissipation:	300 W
Minimum Operating Temperature:	- 55 C
Maximum Operating Temperature:	+ 150 C
Series:	IXGA30N120
Packaging:	Tube
Brand:	IXYS
Continuous Collector Current Ic Max:	150 A
Gate-Emitter Leakage Current:	100 nA
Product Type:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	50
Subcategory:	IGBTs
Tradename:	GenX3
Gewicht pro Stück:	2 g

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Datenblatt

IXGA30N120B3 Datenblatt

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Korea, Republik von
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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