IXFY26N30X3

IXYS
747-IXFY26N30X3
IXFY26N30X3

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs TO252 300V 26A N-CH X3CLASS

Datenblatt:
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IXYS
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
TO-252-3
N-Channel
1 Channel
300 V
26 A
66 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
22 nC
- 55 C
+ 150 C
170 W
Enhancement
HiPerFET
Tube
Marke: IXYS
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 19 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 14 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 25 ns
Serie: HiPerFET
Verpackung ab Werk: 70
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 80 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 23 ns
Gewicht pro Stück: 330 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

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Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Korea, Republik von
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
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X3-Klasse 200-V- bis 300-V-Leistungs-MOSFETs mit HiPerFET™

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Solar-Wechselrichter und Batterie-Energiesspeichersysteme

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Die IXYS HiperFET™ Ultra-Junction-850V-MOSFETs der X-Klasse sind verbesserte Avalanche-bewertete schnelle intrinsische Dioden. Diese MOSFETs verfügen über eine hohe Leistungsdichte und geringe Gehäuseinduktivität mit geringem RDS(ON) und geringem QG. Die MOSFETs der X-Klasse sind in internationalen Standardgehäusen erhältlich. Typische Applikationen sind Schaltnetzteile und Resonanznetzteile, Robotik- und Servosteuerungen und ähnliche Applikationen.
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Wärmepumpen

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HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

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