IXBT14N300HV

IXYS
576-IXBT14N300HV
IXBT14N300HV

Herst.:

Beschreibung:
IGBTs IGBT BIMSFT-VERY HIV OLT

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IXYS
Produktkategorie: IGBTs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
Single
3 kV
2.7 V
- 20 V, 20 V
38 A
200 W
- 55 C
+ 150 C
Very High Voltage
Tube
Marke: IXYS
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Produkt-Typ: IGBT Transistors
Verpackung ab Werk: 30
Unterkategorie: IGBTs
Handelsname: BIMOSFET
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Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Korea, Republik von
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

IXBx14N300HV rückwärts leitende BiMOSFET™ IGBTs

IXYS IXBx14N300HV rückwärts leitende BiMOSFET™ IGBTs kombinieren die Stärken von MOSFETs und IGBTs. Diese Hochspannungsbauteile eignen sich aufgrund des positiven Spannungstemperaturkoeffizienten sowohl der Sättigungsspannung als auch des Durchlassspannungsabfalls der zugehörigen Diode ideal für den Parallelbetrieb. Die "freien" intrinsischen Body-Dioden der IXBx14N300HV-BiMOSFET-IGBTs dienen als Schutzdiode, die einen alternativen Pfad für den induktiven Laststrom während des Abschaltens des Bauteils bereitstellt und verhindert, dass hohe Ldi/dt-Spannungstransienten dem Bauelement Schaden zufügen.