Wolfspeed / Cree CGHV50200F GaN HEMT
Der CGHV50200F 200W GaN (Gallium-Nitrid) HEMT (High-Electron-Mobility Transistor) von Wolfspeed ist ideal für SatCom-Applikationen wie z. B. Troposcatter-Kommunikation und Beyond-Line-of-Site (BLOS) geeignet. Der CGHV50200F GaN HEMT ist für eine einfache Bedienung auf 50 Ω abgestimmt. Er ist für den Continuous-Wave-(CW)-Impuls und lineare Modi des Leistungsverstärkerbetriebs ausgelegt. Dieses Bauteil wird in einem 440217 Keramik-/Metalltyp-Gehäuse geliefert.
Wolfspeed GaN (Gallium-Nitride) HEMT (High-Electron-Mobility Transistors) offer high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities. These devices deliver a higher breakdown voltage, higher temperature operation, higher efficiency, higher thermal conductivity, higher power density, and wider bandwidths than conventional silicon (Si) and gallium arsenide (GaAs) devices.
Merkmale
- 200W Peak power output
- Power gain: 13dB
- Frequency: 4.4GHz to 5.0GHz
- Drain efficiency: 65%
- Typical Power (PSAT): 180W
- Power Added Efficiency (PAE): 33%
- 50Ω Internally Matched
Applikationen
- Troposcatter communications
- Beyond Line of Sight (BLOS)
- 4.4GHz to 5.0GHz C-Band SatCom applications
CGHV50200F-AMP Test Fixture offers an evaluation platform and reference design for the CGHV50200F GaN HEMT. The Test Fixture includes the CGHV50200F device.