Wolfspeed / Cree X-Band GaN-HEMTs und MMICs
Die breiten Banklücken der X-Band GaN-HEMTs und MMICs von Wolfspeed/Cree erhöhen die Durchschlagfeldstärke um das Fünffache und die Leistungsdichte um einen Faktor von 10 bis 20 gegenüber vergleichbaren GaAs-basierten Geräten. GaN-Komponenten von Cree sind kleiner und haben eine geringere Kapazität für dieselbe Betriebsleistung. Dies bedeutet, dass Verstärker über eine größere Bandbreite arbeiten können und eine sehr gute Eingangs- und Ausgangsanpassung zeigen. Aufgrund der bedeutenden Vorteile der GaN HEMTs und MMICs werden ineffiziente GaAs pHEMTs und unzuverlässige Wanderfeldröhren immer weniger in X-Band-Leistungsverstärkern eingesetzt.
The GaN HEMTs and MMICs wide-bandgap increase the breakdown field by five times and the power density by a factor of 10 to 20 compared with GaAs-based devices. Cree GaN components are smaller and have a lower capacitance for the same operating power. This means that amplifiers can operate over a wider bandwidth while exhibiting good input and output matching. X-band power amplifiers are moving away from inefficient GaAs pHEMTs and unreliable Traveling Wave Tubes due to the significant advantages of GaN HEMTs and MMICs. Typical applications include weather, defense and commercial based systems, air-traffic control, and fire-control.
Merkmale
- 2-Way Private Radio
- Broadband Amplifiers
- Cellular Infrastructure
- Test Instrumentation
- Class A, AB, Linear Amplifiers Suitable for OFDM, W-CDMA, EDGE, CDMA Waveforms
- Satellite Communications
- PTP Communications Links
- Marine Radar
- Pleasure Craft Radar
- Port Vessel Traffic Services
- High-Efficiency Amplifiers
