Wolfspeed CGH09120F GaN-High-Electron-Mobility-Transistor (HEMT)
Der GaN-High-Electron-Mobility-Transistor (HEMT) CGH09120F von Wolfspeed / Cree ist für hohe Wirkungsgrade, hohe Verstärkung und hohe Bandbreiten konzipiert. Da dieser GaN-HEMT eine hohe DPD-Korrektur ermöglicht, eignet er sich bestens für MC-GSM-, WCDMA- und LTE-Verstärkerapplikationen geeignet. Der Transistor ist in einem Keramik-/Metall-Flanschgehäuse untergebracht.
Merkmale
- UHF - 2.5GHz Operation
- 21dB Gain
- -38dBc ACLR at 20W PAVE
- 35% Efficiency at 20W PAVE
- High Degree of DPD Correction Can be Applied
Applikationen
- MC-GSM
- WCDMA
- LTE amplifier