Wolfspeed C4MV 650 V Diskrete SiC-MOSFETs

C4MV 650 V Diskrete SiC-MOSFETs von Wolfspeed sind Bauteile der 3. Generation, die eine kleinere, leichtere und hocheffiziente Leistungsumwandlung in einem noch breiteren Bereich von Leistungssystemen ermöglichen. Die C4MV 650 V MOSFET-Produktfamilie eignet sich ideal für Applikationen wie Hochleistungs-Industrienetzteile, Server-/Telekommunikationsstromversorgung, Ladesysteme für Elektrofahrzeuge, Energiespeichersysteme, unterbrechungsfreie Stromversorgungen und Batteriemanagementsysteme.

Merkmale

  • Industriekompatibler Antriebsspannungsbereich von 15 V bis 18 V
  • Geringer Einschaltwiderstand über die Temperatur
  • Niedrige parasitäre Kapazität
  • Schnelle Diode mit extrem niedriger Sperrverzögerung
  • Hochtemperaturbetrieb (TJ = +175 °C)
  • Kelvin-Source-Pin
  • Kleine Baugröße
  • Niedrige Leitungsinduktivität
  • Niedrige thermische Impedanz
  • Hohe Verlustleistungsfähigkeit
  • Verbessert die Systemeffizienz durch geringere Schalt- und Leitungsverluste
  • Industriell zugelassen
  • Hochgeschwindigkeits-Schalten mit niedriger Kapazität
  • Verbessert die Leistungsdichte auf Systemebene
  • Weiche Body-Diode zur Minimierung von Spannungsüberschwingen
  • Reduziert Systemgröße, Gewicht und Kühlanforderungen
  • Ermöglicht aufstrebende hartschaltende Topologien (Totem-Pole-PFC)
  • Optimiertes TOLT-Top-Side-Cooled (TSC)-Gehäuse nach Industriestandard mit separatem Treiber-Source-Pin
  • Feuchteempfindlichkeitsstufe (MSL) 1
  • Halogenfrei und RoHS-konform

Applikationen

  • Ladegeräte für Elektrofahrzeuge
  • Solar-/Energiespeichersysteme (ESS)
  • Motorsteuerung
  • Industrienetzteile
  • Hochspannungs-DC/DC-Wandler

Ressourcen

Veröffentlichungsdatum: 2025-12-04 | Aktualisiert: 2025-12-22