Vishay / Siliconix IRFPS43N50K Leistungs-MOSFETs von Vishay Siliconix

Vishay Siliconix IRFPS43N50K Leistungs-MOSFETs zeichnen sich im Vergleich mit anderen n-Kanal-Leistungs-MOSFETs durch eine geringe Gate-Ladung Qg und verbesserte Gate- und Avalanche-Robustheit sowie eine erhöhte Stabilität des dynamischen dV/dt-Verhaltens aus. Vishay Siliconix IRFPS43N50K MOSFETs weisen geringen RDS(on)-Widerstand und eine vollständig ausgeprägte Kapazität, Lawinendurchbruchspannung und -strom auf. Die Vishay Siliconix IRFPS43N50K-Serie wurde für eine Stromversorgung im Schaltbetrieb, eine unterbrechungsfreie Stromversorgung, und für leistungsstarke und schnelle Schaltanwendungen zur Steuerung der Stromversorgung optimiert.

Merkmale

  • Low gate charge Qg results in simple drive requirement
  • Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
  • Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current
  • Low RDS(on)
  • Compliant to RoHS directive 2002/95/EC

Technische Daten

  • VDS(V): 500
  • RDS(on) (Ω): VGS = 10V, 0.078
  • Qg (Max.) (nC): 350
  • Qgs (nC): 85
  • Qgd (nC): 180
  • Configuration: Single

Applikationen

  • Switch Mode Power Supply (SMPS)
  • Uninterruptible power supply
  • High-speed power switching
  • Hard-switched and high-frequency circuits

Schmatic

Schaltplan - Vishay / Siliconix IRFPS43N50K Leistungs-MOSFETs von Vishay Siliconix