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Vishay Semiconductor Bidirektional-symmetrische ESD-Schutzdiode

Vishay Semiconductor Bidirektional-symmetrische ESD-Schutzdiode

Die bidirektional-symmetrische Einzelleitungs-ESD-Schutzdiode von Vishay Semiconductor erdet positive und negative Überspannungsspitzen. Beim Anschluss zwischen Signal- oder Datenleitung und Masse bietet die VCUT07B1-HD1 eine hohe Isolation (niedriger Ableitstrom, niedrigste Kapazität) innerhalb des vorgegebenen Arbeitsbereichs. Kurze Zuleitungen und die kompakten Abmessungen des kleinen LLP1006-2L-Gehäuses gewährleisten eine sehr gering Induktivität. Dadurch werden schnelle Transienten, beispielsweise infolge elektrostatischer Entladungen, mit minimalem Vor- und Überschwingen begrenzt.

Merkmale
  • Äußerst kompaktes LLP1006-2L Gehäuse
  • Niedriges Gehäuseprofil <>
  • Einzelleitungs-ESD-Schutz
  • Arbeitsbereich ±7V
  • ESD-Schutz gemäß IEC 61000-4-2
IEC 61000-4-2 ±30kV Kontaktentladung
±30kV Luftentladung

  • Niedriger Ableitstrom IR <>
  • Geringe Belastungskapazität CD = 14pF
  • Die Lötung kann über eine Standard-Inspektion der Ansicht überprüft werden, ohne dass Röntgen notwendig ist.
  • Stiftbeschichtung NiPdAu (e4) kein Whiskerwachstum
  • e4 - Edelmetall (z.B. Ag, Au, NiPd, NiPdAu) (kein Sn)
  • Vishay
  • Circuit Protection
Veröffentlichungsdatum: 2012-07-03 | Aktualisiert: 2023-12-31