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Vishay SiRA20DP 25 V n-Kanal-MOSFET

Der 25V n-Kanal-MOSFET SiRA20DP von Vishay verfügt über eine optimierte Gesamtgatter-Ladung (Qg), Gatter-Drain-Ladung (Qgd) und ein Qgd/Gatter-Quellen-Ladungsverhältnis (Qgs), das den Schaltverlust reduziert. Das TrenchFET® Gen IV Gerät SiRA20DP ist zu 100 % Rg- und UIS-getestet. Typische Applikationen sind die synchrone Gleichrichtung, hohe DC-DC-Leistungsdichte, synchrone Abwärtswandler, OR-ing, Lastschalten und Batteriemanagement.

Merkmale

  • TrenchFET Gen IV power MOSFET
  • Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces switching-related power loss
  • 100% Rg and UIS tested

Applikationen

  • Synchronous rectification
  • High power density DC/DC
  • Synchronous buck converter
  • OR-ing
  • Load switching
  • Battery management

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Veröffentlichungsdatum: 2017-01-16 | Aktualisiert: 2022-06-22