Vishay SiR680ADP n-Kanal-MOSFET (D-S)
Der Vishay SiR680ADP n-Kanal-MOSFET (D-S) ist ein TrenchFET® Gen IV Leistungs-MOSFET mit niedriger RDS-zu-Qg-Gütezahl (FOM). Dieser MOSFET ist für die niedrigste RDS-zu-Qoss-FOM abgestimmt und 100 % Rg- und UIS-getestet. Der SiR680ADP MOSFET wird in einem Temperaturbereich von -55 °C bis +150 °C betrieben. Dieser MOSFET arbeitet bei einer Drain-Quellenspannung von 80 V, einer Gate-Quellenspannung von ±20 V und einem Impuls-Drain-Strom von 125 A. Der SiR680ADP MOSFET wird mit dem PowerPak-SO-8-Gehäuse geliefert. Dieser MOSFET eignet sich hervorragend für den Einsatz in primärseitigen Synchrongleichrichtungs-Schaltern, DC/DC-Wandlern, O-Ring, Netzteilen und Motorantriebssteuerung.
Merkmale
- TrenchFET® Gen IV Leistungs-MOSFET
- Sehr niedrige RDS-Qg-Gütezahl (FOM)
- Einzelkonfiguration
- Abgestimmt auf die niedrigste RDS-Qoss-FOM
- 100 % Rg- und UIS-getestet
- PowerPAK-SO-8-Gehäuse
Applikationen
- Synchrongleichrichtung
- Primärseitiger Schalter
- DC/DC-Wandler
- O-Ring
- Netzteile
- Motorantriebssteuerung
- Batterie- und Lastschalter
Technische Daten
- Betriebstemperaturbereich: -55 °C bis +150 °C
- Drain-Quellenspannung von 80 V
- Gate-Quellenspannung von ±20 V
- Impuls-Drainstrom von 125 A
Videos
Infografik-Bild
Dazugehöriges Produkt
Vishay / Siliconix TrenchFET Gen IV MOSFETs
Branchenführend niedriger ON-Widerstand bis zu 1,35 mΩ bei 4,5 V.
Veröffentlichungsdatum: 2020-06-16
| Aktualisiert: 2024-12-20