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Vishay / Siliconix SIHx17N80AEF-Baureihe Leistungs-MOSFETs

Vishay/Siliconix SIHx17N80AEF-Baureihe Leistungs-MOSFETs bieten eine niedrige Gütezahl und eine niedrige Effektivleistung. Die SIHx17N80AEF MOSFETs verfügen über reduzierte Schalt- und Leitungsverluste. Die Leistungs-MOSFETs der SIHx17N80AEF-Baureihe von Vishay/Siliconix verfügen über eine Drain-Quellenspannung von 850 V und eignen sich hervorragend für Server- und Telekommunikations-Netzteile, Beleuchtungs- und Industrieapplikationen.

Merkmale

  • Niedrige Gütezahl (FOM) Ron x Qg
  • Niedrige Effektivleistung (Co(er))
  • Geringere Schalt- und Leitungsverluste
  • UIS-eingestuft (Avalanche Energy Rated)

Applikationen

  • Server- und Telekommmunikations-Netzteile
  • Schaltnetzteile (SNT)
  • Stromversorgung mit Blindleistungskompensation (PFC)
  • Beleuchtung
    • Hochdruckentladung (HID)
    • Vorschaltgeräte für Leuchtstoffröhren
  • Industrie
    • Schweißen
    • Induktionserhitzer
    • Motorantriebe
    • Akkuladegeräte
    • Solar (PV-Wechselrichter)

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Gehäusetyp

Vishay / Siliconix SIHx17N80AEF-Baureihe Leistungs-MOSFETs
Veröffentlichungsdatum: 2021-02-05 | Aktualisiert: 2022-03-11