Vishay / Siliconix SiA469DJ 30-V-p-Kanal-TrenchFET®-MOSFET der Gen. III

Der Vishay/Siliconix SiA469DJ 30-V-p-Kanal-TrenchFET®-MOSFET der Gen. III bietet einen niedrigen Einschaltwiderstand. Der SiA469DJ MOSFET wird mit einer Betriebstemperatur von -55 °C bis 150 °C betrieben. Dieser Leistungs-MOSFET ist als Einzel-Konfiguration in der PowerPAK® SC-70-Gehäusegröße erhältlich. Der SiA469DJ MOSFET ist halogenfrei und RoHS-konform. Zu den Applikationen gehören Lastschalter, DC/DC-Wandler, Hochgeschwindigkeits-Schalt-und Leistungsmanagement in batteriebetriebenen und mobilen Geräten sowie in Wearables.

Merkmale

  • p-Kanal-TrenchFET®-Leistungs-MOSFET der Gen. III
  • Thermisch verbessertes PowerPAK®-SC-70-Gehäuse
  • 100 % Rg-geprüft

Applikationen

  • Lastschalter
  • DC/DC-Wandler
  • Hochgeschwindigkeits-Schaltung
  • Leistungsmanagement in batteriebetriebenen und mobilen Geräten sowie Wearables

SiA469DJ Produktübersicht

Vishay / Siliconix SiA469DJ 30-V-p-Kanal-TrenchFET®-MOSFET der Gen. III

SiA469DJ Schaltplan

Vishay / Siliconix SiA469DJ 30-V-p-Kanal-TrenchFET®-MOSFET der Gen. III
Veröffentlichungsdatum: 2017-01-20 | Aktualisiert: 2022-06-30