Vishay / Siliconix SiA469DJ 30-V-p-Kanal-TrenchFET®-MOSFET der Gen. III
Der Vishay/Siliconix SiA469DJ 30-V-p-Kanal-TrenchFET®-MOSFET der Gen. III bietet einen niedrigen Einschaltwiderstand. Der SiA469DJ MOSFET wird mit einer Betriebstemperatur von -55 °C bis 150 °C betrieben. Dieser Leistungs-MOSFET ist als Einzel-Konfiguration in der PowerPAK® SC-70-Gehäusegröße erhältlich. Der SiA469DJ MOSFET ist halogenfrei und RoHS-konform. Zu den Applikationen gehören Lastschalter, DC/DC-Wandler, Hochgeschwindigkeits-Schalt-und Leistungsmanagement in batteriebetriebenen und mobilen Geräten sowie in Wearables.Merkmale
- p-Kanal-TrenchFET®-Leistungs-MOSFET der Gen. III
- Thermisch verbessertes PowerPAK®-SC-70-Gehäuse
- 100 % Rg-geprüft
Applikationen
- Lastschalter
- DC/DC-Wandler
- Hochgeschwindigkeits-Schaltung
- Leistungsmanagement in batteriebetriebenen und mobilen Geräten sowie Wearables
SiA469DJ Produktübersicht
SiA469DJ Schaltplan
Veröffentlichungsdatum: 2017-01-20
| Aktualisiert: 2022-06-30
