Vishay / Siliconix SiA433EDJ 20-V-p-Kanal-TrenchFET®-MOSFET der Gen. III

Der Vishay/Siliconix SiA433EDJ 20-V-p-Kanal-TrenchFET^®-MOSFET der Gen. III bietet einen niedrigen Einschaltwiderstand. Der SiA433EDJ MOSFET wird mit einer Betriebstemperatur von -55 °C bis 150 °C betrieben. Dieser Leistungs-MOSFET ist als Einzel-Konfiguration in der PowerPAK^®-SC-70-Gehäusegröße erhältlich. Der SiA433EDJ MOSFET bietet einen Einschaltwiderstand für eine große Auswahl von Applikationen. Funktionen umfassen einen integrierten ESD-Schutz mit einer Zenerdiode. Zu den Applikationen gehören tragbare Geräte wie z. B. Lastschalter, Batterieschalter und Ladeschalter.