Vishay / Dale IFSC-2020DE-01 Halbgeschirmte SMD-Leistungsinduktivitäten
Die halbgeschirmten SMD-Leistungsinduktivitäten IFSC-2020DE-01 von Vishay / Dale verfügen über eine halbgeschirmte, drahtgewickelte Ferrit-Bauweise und sind in einem 6 mm x 6 mm x 4,5 mm großen SMD-Gehäuse untergebracht. Diese halbgeschirmten Induktivitäten bieten eine Induktivität von 1 μH bis 470 μH bei 0 A und arbeiten in einem Temperaturbereich von -40 °C bis +125 °C (einschl. Temperaturanstieg). Zu den typischen Applikationen für die SMD-Leistungsinduktivitäten IFSC-2020DE-01 von Vishay / Dale gehören DC/DC-Stromversorgungen, LCD-Displays, Rauschunterdrückung/-filterung, Beleuchtungstreiber und batteriebetriebene Geräte.
Merkmale
- Halbgeschirmt
- SMD-Gehäuse, 6 mm x 6 mm x 4,5 mm
- Drahtgewickelte Ferrit-Konstruktion
Applikationen
- DC/DC-Netzteile
- LCD-Displays
- Rauschunterdrückung und -filterung
- Beleuchtungstreiber
- Batteriebetriebene Geräte
Technische Daten
- 1,0 μH bis 470 μH Induktivität bei 0 A
- Induktivitätstoleranz: 20 % oder 30 %
- 14 mΩ bis 2.000 mΩ DC-Widerstand (DCR) ±30 %
- 0,35 A bis 4,2 A Wärmenennstrom DC
- 0,4 A bis 8,5 A Sättigungsstrom DC
- SRF (typisch): 2 MHz bis 110 MHz
- Betriebstemperaturbereich: -40 °C bis +125 °C (einschl Temperaturanstieg)
- Widerstandsfähigkeit von +260 °C gegen Löthitze für 10 s (max. 3 Mal durch Reflow)
Verwandte Induktivitäten
Vishay / Dale IFSC-3232DB-01 Halbgeschirmte SMD-Leistungsinduktivitäten
Verfügen über eine halbgeschirmte, drahtgewickelte Ferritbauweise in einem SMD-Gehäuse von 8 mm2 x 4,2 mm.
Vishay Trommelkern-Leistungsinduktivitäten
Verfügen über eine geschirmte und halbgeschirmte Bauweise und einen Induktivitätsbereich von 220 nH bis 1,2 mH.
Veröffentlichungsdatum: 2024-03-01
| Aktualisiert: 2024-12-04