Toshiba TPD7107F Intelligentes Leistungsbauteil (IPD)
Das TPD7107F intelligente Leistungsbauteil von Toshiba ist ein High-Side-Leistungs-MOSFET-Gate-Treiber, der zur Steuerung der Leitung und Abschaltung von Strom, der an Elektronische Steuereinheiten (ECUs) für Automotive, wie z. B. Anschlusskästen und Karosseriesteuermodule geliefert wird, ausgelegt ist. In Kombination mit einem Toshiba-Automotive-N-Kanal-MOSFET mit niedrigem On-Widerstand kann der TPD7107F einen für den Laststrom geeigneten High-Side-Schalter bilden. Als elektronischer Schalter, der frei vom Kontaktverschleiß mechanischer Relais ist, kann der TPD7107F IPD dazu beitragen, die Größe und den Stromverbrauch von Automotive--Steuergeräten zu reduzieren und sie wartungsfrei zu machen.
Der TPD7107F IPD bietet erweiterte Funktionen, die die hohe Zuverlässigkeit unterstützen, die für Automotive-Steuergeräte erforderlich ist, eine Selbstschutzfunktion und verschiedene eingebaute Diagnosefunktionen, die an den Mikrocontroller ausgegeben werden, und überwacht den Lastbetrieb und den MOSFET, an den er angeschlossen ist. Bei abnormalem Betrieb schaltet er den MOSFET schnell ab, um die Last zu reduzieren. Darüber hinaus reduziert dieses Bauteil den Bedarf an zusätzlichen Komponenten wie Kondensatoren, da es über eine integrierte Spannungserhöhungsschaltung verfügt.
Der TPD7107F von Toshiba ist AEC-Q100-qualifiziert und befindet sich in einem kompakten WSON10A-Gehäuse.
Merkmale
- AEC-Q100-qualifiziert
- Kann je nach Laststrom in Kombination mit einem N-Kanal-MOSFET mit niedrigem On-Widerstand verwendet werden
- Eingebauter Spannungserhöhungsschaltkreis, der passive Peripheriekomponenten reduziert
- Versorgungsspannung (VDD)
- -36 V bis +36 V bei T≤400 ms
- -20 V bis +20 V bei T≤20 ms
- Verlustleistung (PD): 1,84 W
- Ausgangssenkenstrom (IGATE): 5 mA
- Ausgangsspannung (VGATE) : -0,3 V bis +40 V
- Betriebstemperatur (Topr): -40 °C bis +125 °C
- WSON10A-Gehäuse
- Eingebaute Schutzfunktionen und Diagnose-Ausgangsfunktionen
- Anomalien in der Stromversorgungsspannung
- Laststrommessung
- Überstrom
- Überhitzung
- Anomalien der Drain-Source-Spannung des externen FET
- Aktive Klemme des externen FET
- Schutz für die Trennung von GND
- VDD Kurzschluss der Lastleitung
- Trennung der Lastleitung
Applikationen
- Automotive-Anschlusskästen
- Automotive-Leistungsverteilungsmodule
- Halbleiterrelais
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Blockdiagramm
Pin-Bezeichnungen
Gehäuseabmessungen
