Zurück zu Toshiba

Toshiba Hochspannungs-DTMOS-VI-MOSFETs im TOLL-Gehäuse

Toshiba DTMOSVI Hochspannungs-MOSFETs im TOLL-Gehäuse verfügen über einen niedrigen Drain-Source-Einschaltwiderstand (Rdson) und Hochgeschwindigkeits-Schalteigenschaften mit niedriger Kapazität. Dadurch eignen sie sich hervorragend für Schaltnetzteil-Applikationen. Diese DTMOSVI der neuesten Generation bietet den niedrigsten Gütefaktor RDS(ON)xQgd und ist im neuen TOLL-Gehäuse (9,9 × 11,68 × 2,3 mm) mit einer Kelvin-Quellenverbindung zur Reduzierung von Einschalt- und Ausschaltverlusten untergebracht.

Merkmale

  • Reduzierung von COSS
  • Anwendung neuester Prozesstechnologie Einfacher epitaktischer Prozess
  • Große Auswahl von On-Widerständen und Gehäuseoptionen
  • Niedrigster Gütefaktor (RDS(ON) x QGD) von DTMOS VI
  • Verbesserter Kompromiss zwischen RDS (ON) und Bereich
  • Stabiler On-Widerstand bei höheren Temperaturen
  • DTMOS VI für Schaltvorgänge mit dem höchsten Wirkungsgrad in Netzteilen
  • Reduzierte Wärmesystemkosten
  • Weniger Kosten für Feldversagen
  • Weniger Kosten für passive Bauelemente
  • Einfaches Design-in für eine schnellere Markt- und Produkteinführung
  • Bereit, hochvolumige Märkte mit wettbewerbsfähigen Preisen zu unterstützen
  • Ermöglicht eine höhere Leistungsdichte

Applikationen

  • Rechenzentrum, PV-Wechselrichter, USV
  • Schaltnetzteil
  • Beleuchtung
  • Leistungsfaktorsteuerung
  • Industrieapplikationen

Übersicht

Toshiba Hochspannungs-DTMOS-VI-MOSFETs im TOLL-Gehäuse

Verwandte Produkte

Toshiba DTMOSVI MOSFETs

650V power MOSFET featuring a low drain-source on-resistance of 0.033Ω (typical).

Learn Moreüber Toshiba DTMOSVI MOSFETs View Productsverwandt mit Toshiba DTMOSVI MOSFETs

Vergleich der Leistungszahlen

Toshiba Hochspannungs-DTMOS-VI-MOSFETs im TOLL-Gehäuse

Weitere Ressourcen

View Results ( 6 ) Page
Teilnummer Datenblatt Beschreibung Rds On - Drain-Source-Widerstand Id - Drain-Gleichstrom Qg - Gate-Ladung Pd - Verlustleistung
TK055U60Z1,RQ TK055U60Z1,RQ Datenblatt MOSFETs 600V DTMOS VI TOLL 55mohm 55 mOhms 40 A 65 nC 270 W
TK190U65Z,RQ TK190U65Z,RQ Datenblatt MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=130W F=1MHZ 149 mOhms 15 A 25 nC 130 W
TK110U65Z,RQ TK110U65Z,RQ Datenblatt MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=190W F=1MHZ 86 mOhms 24 A 40 nC 190 W
TK090U65Z,RQ TK090U65Z,RQ Datenblatt MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=230W F=1MHZ 70 mOhms 30 A 47 nC 230 W
TK065U65Z,RQ TK065U65Z,RQ Datenblatt MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=270W F=1MHZ 51 mOhms 38 A 62 nC 270 W
TK155U65Z,RQ TK155U65Z,RQ Datenblatt MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=150W F=1MHZ 122 mOhms 18 A 29 nC 150 W
Veröffentlichungsdatum: 2021-02-19 | Aktualisiert: 2022-03-11