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Toshiba 650-V-DTMOS-VI-Superjunction-MOSFETs

Toshiba  650-V-DTMOS-VI-Superjunction-MOSFETs sind für den Betrieb in Schaltnetzteilen ausgelegt. Diese n-Kanal-MOSFETs verfügen über Hochgeschwindigkeits-Schalteigenschaften mit niedriger Kapazität. Die  650-V-DTMOS-VI-Superjunction-MOSFETs bieten einen niedrigen Drain-Source-Einschaltwiderstand (typisch) von 0,092 Ω bis 0,175 Ω. Diese Bauteile verfügen über eine Drain-Source-Spannung von 10 V.

Merkmale

  • Niedriger Drain-Source-On-Widerstand
  • Hochgeschwindigkeits-Schalteigenschaften mit geringer Kapazität
  • Erweiterungsmodus: Vth = 3 V bis 4 V (VDS = 10 V

Technische Daten

  • Maximaler Gate-Ableitstrom: ±1 µA
  • Die Eingangskapazitäten (CISS) sind 2.250 pF, 1.635 pF und 1.770 pF
  • Maximale Gate-Schwellenspannung: 3 V bis 4 V 

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Teilnummer Datenblatt Beschreibung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Qg - Gate-Ladung Pd - Verlustleistung
TK125V65Z,LQ TK125V65Z,LQ Datenblatt MOSFETs MOSFET 650V 125mOhms DTMOS-VI 24 A 125 mOhms 40 nC 190 W
TK170V65Z,LQ TK170V65Z,LQ Datenblatt MOSFETs MOSFET 650V 170mOhms DTMOS-VI 18 A 170 mOhms 29 nC 150 W
TK110N65Z,S1F TK110N65Z,S1F Datenblatt MOSFETs MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI 24 A 110 mOhms 40 nC 190 W
TK155A65Z,S4X TK155A65Z,S4X Datenblatt MOSFETs MOSFET 650V 155mOhms DTMOS-VI 18 A 155 mOhms 23 nC 40 W
TK190A65Z,S4X TK190A65Z,S4X Datenblatt MOSFETs MOSFET 650V 190mOhms DTMOS-VI 15 A 190 mOhms 25 nC 40 W
TK110A65Z,S4X TK110A65Z,S4X Datenblatt MOSFETs MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI 24 A 110 mOhms 40 nC 45 W
TK210V65Z,LQ TK210V65Z,LQ Datenblatt MOSFETs MOSFET 650V 210mOhms DTMOS-VI 15 A 210 mOhms 25 nC 130 W
Veröffentlichungsdatum: 2020-11-23 | Aktualisiert: 2024-11-26