Texas Instruments LMG3624 GaN-Power-Stage mit 650 V, 170 mΩ

Die 650-V-/170-mΩ-GaN-Leistungsstufe LMG3624 von Texas Instruments ist für Applikationen mit Schaltnetzteilen vorgesehen. Die ICs der Baureihe LMG3624 vereinfachen das Design und reduzieren die Anzahl der Bauteile durch Integration des GaN-FETs und Gate-Treibers in ein einzelnen QFN-Gehäuse mit der Baugröße 8 mm x 5,3 mm. Programmierbare Einschalt-Anstiegsraten ermöglichen die EMI- und Schaltüberschwingkontrolle. Im Vergleich zu herkömmlichen Strommesswiderständen reduziert die Strommess-Emulation die Verlustleistung und ermöglicht es, das Low-Side-Wärme-Pad mit der Kühl-PCB zu verbinden. Diese Gate-Treiber ist ideal für AC/DC-Adapter und -Ladegeräte, Designs für mobile Wandladegeräte, USB-Wandsteckdosen, Hilfsstromversorgungen sowie SMPS-Stromversorgungen für Fernsehgeräte und LED-Netzteile.