Texas Instruments LMG2100R044 GaN-Halbbrücken-Leistungsstufe

Die GaN-Halbbrücken-Leistungsstufe LMG2100R044 von Texas Instruments ist eine Halbbrücken-Leistungsstufe mit 90 V Dauerstrom, 100 V Impulsstrom und 35 A mit integriertem Gate-Treiber und Galliumnitrid-FETs im Enhancement-Mode (GaN). Die LMG2100R044 kombiniert zwei 100-V-GaN-FETs, die von einem 90-V-Hochfrequenz-GaN-FET-Treiber in einer Halbbrücken-Konfiguration betrieben werden. Die GaN-FETs bieten erhebliche Vorteile für die Leistungsumwandlung, wie z. B. Null-Sperrverzögerung und minimale Eingangskapazität CISS und Ausgangskapazität COSS.

Die LMG2100R044-Leistungsstufe von TI ist auf einer vollständig bonddrahtlosen Gehäuseplattform mit einer minimalen Anzahl parasitärer Gehäuseelemente montiert. Der LMG2100R044 ist in einem bleifreien 5,5 mm x 4,5 mm x 0,89 mm Gehäuse untergebracht und einfach auf PCBs montiert.

Merkmale

  • Integrierte 4,4 mΩ Halbbrücken-GaN-FETs und Treiber
  • 90 V Dauerbetrieb, 100 V gepulste Nennspannung
  • Gehäuse optimiert für einfaches PCB-Layout
  • Schaltung mit hoher Anstiegsrate und niedrigem Überschwingen
  • 5 V Externes Vorspannungsnetzteil
  • Unterstützt 3,3 V und 5 V Eingangslogikpegel
  • Gate-Treiber, der zu einer Schaltung von bis zu 10 MHz fähig ist
  • Geringer Stromverbrauch
  • Hervorragende Laufzeitverzögerung (33 ns typisch) und Anpassung (2 ns typisch)
  • Interne Bootstrap-Versorgungsspannungsklemme zur Verhinderung einer GaN-FET-Übersteuerung
  • Versorgungsschienen-Unterspannung für Sperrschutz
  • Freiliegendes oberes QFN-Gehäuse für Oberseitenkühlung
  • Großes GND-Pad für die Kühlung auf der Unterseite

Applikationen

  • Abwärts-, Aufwärts-, Abwärts-/Aufwärtswandler
  • LLC-Wandler
  • Solar-Wechselrichter
  • Telekommunikations- und Serverleistung
  • Motorantriebe
  • Elektrowerkzeuge
  • Audioverstärker der Klasse D

Vereinfachtes Blockdiagramm

Blockdiagramm - Texas Instruments LMG2100R044 GaN-Halbbrücken-Leistungsstufe

Messung der Laufzeitverzögerung und Laufzeitdiskrepanz

Applikations-Schaltungsdiagramm - Texas Instruments LMG2100R044 GaN-Halbbrücken-Leistungsstufe
Veröffentlichungsdatum: 2024-05-13 | Aktualisiert: 2025-04-16