Texas Instruments FemtoFET Leistungs-MOSFETs
Die Texas Instruments FemtoFET Leistungs-MOSFETs bieten einen extrem kleinen Footprint (0402 Gehäusegröße) mit ultra-niedrigem Widerstand (70% weniger als die Konkurrenz). Diese MOSFETs verfügen über extrem niedrige Qg- und Qgd-Spezifikationen und bieten eine optimierte ESD-Bewertung. Sie sind in einem LGA-Gehäuse (Land-Grid-Array) erhältlich. Dieses Gehäuse maximiert den Siliziumgehalt und macht sie ideal für platzbeschränkte Anwendungen. Diese Leistungs-MOSFETs bieten eine geringe Verlustleistung sowie geringe Schaltverluste für eine verbesserte Lichtladeleistung. Zu den typischen Anwendungen für diese Geräte zählen Handgeräte-, Lastschalter-, Allzweckschalter- und Batterie- sowie mobile Anwendungen.
Merkmale
- Ultra small footprint (0402 case size)
- 1.0mmx0.6mm
- Industry standard package footprint
- Low height profile - >0.35mm
- Ultra low resistance, 70% less than competitors
- Ultra low Qg & Qgd
- Land grid array (LGA) package maximizes silicon content
- Optimized ESD ratings
- Ideal for space-constrained applications such as cell phones and tablets
- Easy second sourcing
- Supports thin Z-height products
- Low power dissipation
- Low switching losses; Improved light load performance
- Supports Id currents > 2 amps, double the nearest competitor
- Robust manufacturing
Applikationen
- Handheld and mobile
- Load switch
- General purpose switching
- Battery
Veröffentlichungsdatum: 2015-03-06
| Aktualisiert: 2022-03-11