Texas Instruments DRV871x-Q1 Smart-Halbbrücken-Gate-Treiber
Texas Instruments DRV871x-Q1 Smart-Halbbrücken-Gate-Treiber sind hochintegrierte Mehrkanal-Gate-Treiber, die für den Antrieb von mehreren Motoren oder Lasten ausgelegt sind. Die Bauteile enthalten entweder 4 (DRV8714-Q1) oder 8 (DRV8718-Q1) Halbbrücken-Gate-Treiber, Treiber-Netzteile, Strom-Shunt-Verstärker und Schutzwächter, wodurch die Komplexität, Größe und die Kosten des gesamten Systems reduziert werden. Eine Smart-Gate-Drive-Architektur verwaltet die Totzeit, um eine Durchzündung zu verhindern, steuert die Anstiegsrate zur Reduzierung von elektromagnetischen Störungen (EMI) und optimiert die Laufzeitverzögerung für eine optimale Leistung.Eingangsmodi werden für eine unabhängige Halbbrücken- oder H-Brücken-Steuerung bereitgestellt. Vier PWM-Eingänge können zwischen den verschiedenen Treibern in Kombination mit einer SPI-Steuerung gemultiplext werden. Shunt-Verstärker mit großem Gleichtakt bieten Inline-Stromsensoren zur unterbrochenen Messung des Motors selbst während der Wiederzuführung von Fenstern. Der Verstärker kann in Low-Side- oder High-Side-Sensorkonfigurationen verwendet werden, wenn eine Inline-Erkennung nicht erforderlich ist. Der DRV871x-Q1 von Texas Instruments bietet eine Reihe von Schutzfunktionen, um einen robusten Systembetrieb zu gewährleisten. Dazu gehören Unter- und Überspannungsüberwachung, VDS -Überstrom- und VGS -Gate-Fehlerüberwachung für die externen MOSFETs, Offline-Diagnose bei offener Last und Kurzschluss sowie interne thermische Warnung und Abschaltschutz.
Merkmale
- AEC-Q100-qualifiziert für Fahrzeuganwendungen
- -40 °C bis +125 °C, TA Temperaturklasse 1
- Mehrkanal-Halbbrücken-Gate-Treiber
- Pin-zu-Pin-Halbbrückentreiberausführungen 4 und 8
- 4,9 V bis 37 V (40 V abs. max.) Betriebsbereich
- 4 PWM-Eingänge mit Ausgangszuordnung
- Verdreifacher-Ladungspumpe für 100 % PWM
- Halbbrücken-, H-Brücken- und SPI-Steuermodi
- Smart-Mehrphasen-Gate-Drive-Architektur
- Einstellbare Anstiegsratensteuerung
- Eine adaptive Laufzeitverzögerungssteuerung
- Spitzenquellstromausgang: 50 µA bis 62 mA
- Spitzensenkenstromausgang: 50 µA bis 62 mA
- Integriertes Totzeit-Handshaking
- 2 x große Gleichtakt-Nebenschlussstrom-Verstärker
- Unterstützt Inline, High-Side oder Low-Side
- Anpassbare Gain-Einstellungen (10, 20, 40, 80 V/V)
- Mehrere Schnittstellenoptionen verfügbar
- SPI: Detaillierte Konfigurations- und Diagnosefunktionen
- H/W: Vereinfachte Steuerung und weniger MCU-Pins
- Kompakte VQFN-Gehäuse mit benetzbaren Flanken
- Integrierte Schutzfunktionen
- Dedizierter Treiberdeaktivierungs-Pin (DRVOFF)
- Niedrige IQ, Ruhemodus-Motorbremsung (BRAKE)
- Überwachung der Versorgungs- und Reglerspannung
- MOSFET-VDS -Überstromwächter
- MOSFET-VGS -Gate-Fehlerwächter
- Ladungspumpe für MOSFET mit Umpolung
- Offline-Diagnose von offener Last und Kurzschluss
- Thermische Warnung und Abschaltung des Bauteils
- Fenster-Watchdog-Timer
- Fehlerbedingungs-Interrupt-Pin (nFAULT)
Applikationen
- Automotive-DC-Bürstenmotoren
- Module für elektrisch verstellbare Sitze
- Elektrische Heckklappe und Hebebühne
- Türmodul
- Bordnetzsteuermodule
- Elektrisches Schiebedach
- Getriebe- und Motorsteuerungsmodule
Funktionales Blockdiagramm
