Texas Instruments DRV8363-Q1 48 V Batterie 3-phasiger intelligenter Gate Treiber
Texas Instruments DRV8363-Q1 48 V Batterie Der dreiphasige Smart Gate Driver bietet drei Halbbrücken-Gate-Treiber, die jeweils High-Side- und Low-Side-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs ansteuern können. Der DRV8363-Q1 erzeugt die korrekten GATE-Ansteuerspannungen mithilfe einer externen 12 V Versorgung und einer integrierten Bootstrap-Diode für die High-Side-MOSFETs. Die intelligente Gate-Drive-Architektur ermöglicht eine konfigurierbare Gate-Ansteuerung eines Quellspitzenstroms von 16 mA bis 1 A Quell- und 2 A Senken-Spitzenstrom. Der DRV8363-Q1 kann mit einem breiten Eingabebereich von 8 V bis 85 V am Motoranschluss betrieben werden. Eine Trickle-Ladungspumpe ermöglicht es den Gate-Treibern, eine 100-prozentige PWM-Tastverhältnissteuerung zu unterstützen, und liefert eine Overdrive-Gate-Treiber-Spannung für externe Schalter.
Der Texas Instruments DRV8363-Q1 bietet Low-Side-Strommessverstärker zur Unterstützung widerstandsbasierter Low-Side-Stromsensoren. Der geringe Offset der Verstärker ermöglicht es dem System, präzise Messungen des Motorstroms zu erhalten. Die große Auswahl an Schutz- und Diagnosefunktionen, die in den DRV8363-Q1 integriert sind, ermöglicht ein robustes Design des Motorantriebssystems und trägt dazu bei, die Notwendigkeit externer Komponenten zu eliminieren. Die hochgradig konfigurierbare Geräteaktion ermöglicht die nahtlose Integration in eine große Auswahl von Systemdesigns.
Merkmale
- AEC-Q100 Prüfung für Fahrzeuganwendungen mit einer Geräteumgebungstemperatur von -40 °C bis +125 °C
- Dreiphasiger Halbbrücken-GATE-Treiber
- Treiber für sechs N-Kanal-MOSFETs (NMOS)
- Breiter Betriebsspannungsbereich Bereich 8 V bis 85 V
- Bootstrap-Architektur für High-Side-GATE-Treiber
- Unterstützt einen durchschnittlichen GATE-Schaltstrom 50 mA wodurch der Betrieb von 400-nC-MOSFETs bei 20 kHz ermöglicht wird.
- Trickle-Ladungspumpe zur Unterstützung eines 100%igen PWM-Tastverhältnisses und zur Erzeugung einer Übersteuerungsversorgung zum Ansteuern einer externen Abschalt- oder Verpolungsschutzschaltung.
- Smart GATE Drive-Architektur
- 15-stufiger konfigurierbarer Spitzenwert Gate Ansteuerstrom bis zu 1000 mA/2000 mA (Spitzenquellen-/Senken)
- Es erfolgt eine automatische Totzeiteinfügung im geschlossenen Regelkreis, die auf der Spitzenquellen-/Senkenspannungssüberwachung basiert.
- Konfigurierbare Sanftabschaltung zur Minimierung induktiver Spannungsspitzen während der Überstromabschaltung
- Low-Side-Strommessungs-Verstärker
- 1 mV niedriger Eingangs-Offset über den gesamten Temperaturbereich
- 4-stufig einstellbare Verstärkung
- Einstellbare Ausgangs- Vorspannung zur Unterstützung der unidirektionalen oder bidirektionalen Erfassung
- SPI-basierte detaillierte Bauform und Diagnose
- DRVOFF-Pin zum unabhängigen Deaktivieren des Treibers
- Hochspannungs-Weckpin (nSLEEP)
- Dedizierter ASCIN-Pin zur Steuerung der Motorbremsung (aktiver Kurzschluss)
- 6 x, 3 x, 1 x und unabhängige PWM-Modi
- Unterstützt Logikeingänge mit 3,3 V und 5 V
- Integrierte Schutzfunktionen
- Batterie- und Stromversorgungsspannungswächter
- MOSFET VDS- und Rsense-Überstromüberwachung
- MOSFET-VGS-Gate-Fehler werden überwacht.
- Thermische Warnung und Abschaltung des Geräts
- Fehler Zustandsanzeigestift
Applikationen
- 48 V Automobilindustrie Motorsteuerung Anwendungen
- Kraftstoff-, Wasser- und Ölpumpen
- Automobil Ventilatoren und Gebläse
- Fahrzeug
- Getriebeaktuatoren
- Fahrzeug -BLDC- und PMSM-Motoren
- E-Mobilität
- E-Bikes
- E-Scooter
Vereinfachtes Schaltschema
Development Tool
Texas Instruments DRV8363-Q1EVM Evaluierungsmodul
Basierend auf dem Bauteil DRV8363-Q1, einer 3-phasigen, bürstenlosen Gleichstromantriebsstufe mit 30 A für BLDC-Motoren.
Veröffentlichungsdatum: 2026-01-21
| Aktualisiert: 2026-01-28