Texas Instruments bq25618/bq25619 Einzellen-Aufwärtswandler-Ladegerät

Die bq25618/bq25619 Einzellen-Aufwärtswandler-Ladegeräte von Texas Instruments sind hochintegrierte Schalt-Batterielade- und Systemleistungspfad-Management-Bauteile für eine einzellige Lithium-Ionen- und Lithium-Polymer-Batterie. Die Bauteile ermöglichen ein schnelles Laden mit hoher Eingangsspannungs-Unterstützung für eine große Auswahl von Applikationen, einschließlich Wearables und Kopfhörer-Ladegehäuse. Der Versorgungspfad mit niedriger Impedanz optimiert den Wirkungsgrad des Schaltmodusbetriebs, reduziert die Batterieladezeit und erweitert die Batterielebensdauer während der Entladungsphase. Die Eingangsspannung, die Stromregelung, der niedrige Abschaltstrom sowie die Batterie-Fernerkundung liefern einen maximalen Ladestrom für die Batterie.

Die Lösung ist mit einem Eingangs-Sperrblockierungs-FET (RBFET, Q1), High-Side-Schaltungs-FET (HSFET, Q2), Low-Side-Schaltungs-FET (LSFET, Q3) und Batterie-FET (BATFET, Q4) zwischen System und Batterie hochintegriert. Das Bauteil enthält auch die Bootstrap-Diode für den High-Side-Gate-Drive für ein einfacheres System-Design. Die serielle I2C-Schnittstelle mit Lade- und Systemeinstellungen macht dieses Bauelement zu einer äußerst flexiblen Lösung.

Merkmale

  • Einzelchip-Lösung zum Laden von Zubehör von Wearables von einem Adapter oder einer Batterie
  • Synchrones 1,5-MHz-Abwärtsschaltladegerät mit hohem Wirkungsgrad
    • 95,5 % Lade-Wirkungsgrad bei 0,5 A und 94,5 % Wirkungsgrad bei 1 A
    • ±0,5 % Ladespannungsregelung (in Schritten von 10 mV)
    • I2C-programmierbares JEITA-Profil von Ladespannungs-, Strom- und Temperatur-Schwellenwerte
    • Niedriger Abschaltstrom mit hoher Genauigkeit von 20 mA ±10 mA
    • Kleiner Induktivitäts-Formfaktor von 2,5 x 2,0 x 1,0 mm3
    • Aufwärtsmodus mit Ausgangsleistung von 4,6 bis 5,15 V
    • 94 % Aufwärts-Wirkungsgrad bei 1-V-Ausgang
    • Integrierte Steuerung zum Umschalten zwischen Lade- und Aufwärtsmodus
    • Externer PMID_GOOD-Pin-Steuerungs-PMOS-FET zum Schutz gegen Fehlerzustände
  • Einzeleingang zur Unterstützung des USB-Eingangs, des Hochspannungsadapters und der Funkleistung
    • Unterstützt einen Eingangsspannungsbereich von 4 V bis 13,5 V bei absoluter maximaler Eingangsspannung von 22 V
    • Programmierbare Eingangsstrombegrenzung (IINDPM) mit I2C (100 mA bis 3,2 A, 100 mA/Schritt)
    • Maximalleistungs-Tracking durch Eingangsspannungsbegrenzung (VINDPM) bis 5,4 V
    • VINDPM-Schwellenwert verfolgt automatisch die Batteriespannung
  • Narrow-VDC(NVDC)-Leistungspfadmanagement
    • Instant-on ohne Batterie oder mit einer stark entladenen Batterie
  • Flexible I2C-Konfiguration und autonomes Laden für eine optimale Systemleistung
  • Die hohe Integration umfasst alle MOSFETs, die Strommessung und die Schleifenkompensation
  • Niedriger RDSON für 19,5 mΩ BATFET zur Reduzierung des Schaltverlustes und Verlängerung der Batterielaufzeit
    • BATFET-Steuerung für Transportmodus und vollständiges Reset mit und ohne Adapter
  • Geringer Batterie-Ableitstrom im Transportmodus von 7 µA
  • Geringer Batterie-Ableitstrom von 9,5 µA mit Systemspannungs-Standby
  • Hochgenaues Batterieladeprofil
    • ±6 % Ladestromregelung
    • ±7,5 % Eingangsstromregelung
    • Batterie-Fernerkundung für schnelleres Laden
    • Programmierbarer Top-Off-Timer für ein vollständiges Laden der Batterie

Applikationen

  • Verbraucher-Wearables und Smart-Uhren
  • Körperpflege und Fitness
  • Headsets/Kopfhörer
  • Ohrhörer-Ladegehäuse (True Wireless oder TWS)
  • Hörgerät-Ladegehäuse

Vereinfachte Applikation

Applikations-Schaltungsdiagramm - Texas Instruments bq25618/bq25619 Einzellen-Aufwärtswandler-Ladegerät
Veröffentlichungsdatum: 2019-08-28 | Aktualisiert: 2023-10-30