STMicroelectronics SRK1001 Adaptiver Synchrongleichrichtungs-Controller
Der SRK1001 adaptive Synchrongleichrichtungs-Controller von STMicroelectronics ist für die sekundärseitige Synchrongleichrichtung in Sperrwandlern ausgelegt und eignet sich hervorragend für den Betrieb in QR und gemischten CCM-/DCM-Festfrequenzschaltungen. Der SRK1001 bietet einen Hochspannungs-Gate-Drive-Ausgang, der n-Kanal-Leistungs-MOSFETs direkt ansteuern kann.Der SR-MOSFET wird eingeschaltet sobald der Strom beginnt durch die Diode zu fließen und wird ausgeschaltet, wenn der Strom gegen Null geht, indem das Steuerschema implementiert wird. Das Bauteil verfügt über ein schnelles Einschalten mit minimaler Verzögerung und eine innovative adaptive Ausschaltlogik, die eine maximale Leitungszeit des SR-MOSFETs ermöglicht. Diese Sequenz eliminiert auch die Auswirkung von parasitärer Induktivität in der Schaltung. Der stromsparende Modus kann auf drei Arten erreicht werden, wenn der SRK1001 den Burst-Mode-Betrieb des primären Controllers erkennt, wenn der DIS-Pin vom Benutzer hochgezogen wird oder wenn die SR-MOSFET-Leitung unter den programmierten Mindest-TON fällt. Darüber hinaus verbessert dies den Wirkungsgrad des Wandlers bei geringer Last, wenn die Synchrongleichrichtung nicht mehr vorteilhaft ist.
Nachdem der Wandler das Schalten neu startet oder der DIS-Pin wieder niedrig geht und der IC erkennt, dass die Stromleitung in den Gleichrichtern 20 % über den programmierten Mindest-TON-Wert gestiegen ist, verlässt der IC den niedrigen Stromsparmodus und setzt den Schaltbetrieb fort.
Merkmale
- Sekundärseitiger Synchrongleichrichtungs-Controller, der für Sperrwandler ausgelegt ist
- Eignet sich für den Betrieb in QR und gemischten CCM/DCM-Festfrequenzschaltungen.
- Großer VCC-Betriebsspannungsbereich von 3,7 V bis 32 V
- CC-Regelungsbetrieb wird von einem Ausgang bis hinunter auf 2 V unterstützt
- Sehr niedriger Ruhestrom im Stromsparmodus (170 µA)
- Hochspannungs-Sensoreingang für SR-MOSFET-Drain-Quellspannung (185 V AMR)
- Betriebsfrequenz von bis zu 300 kHz
- Hochstrom-Gate-Drive-Ausgang für n-MOSFET
- Schnelles Einschalten mit minimaler Verzögerungszeit und adaptive Abschaltlogikschaltung
- Programmierbarer Mindest-TON und -TOFF
- Stromsparende Moduseingabe über DIS-Pin, durch primärseitige Burst-Mode-Erkennung oder durch Erkennung einer SR-MOSFET-Leitung, die niedriger ist als der programmierte Mindest-TON
- SO8-Gehäuse
Applikationen
- AC/DC-Adapter
- Akkuladegeräte/Schnellladegeräte
- USB-Power-Delivery
- Industrie-SNTs
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