STMicroelectronics STDRIVEG600 Halbbrücken-Gate-Treiber

Der STMicroelectronics STDRIVEG600-Halbbrücken-Gate-Treiber ist ein Einzelchip-Halbbrücken-gate-Treiber für GaN (Galliumnitrid) eHEMTs (Anreicherungstyp-High-Electron-Mobility-Transistoren) oder n-Kanal-Leistungs-MOSFETs. Die high-side des STDRIVEG600 ist so konzipiert, dass sie Spannungen von bis zu 600 V widersteht und für Designs mit einer Busspannung von bis zu 500 V geeignet. Dieses Bauteil eignet sich aufgrund seiner hohen Strombelastbarkeit, kurzen Laufzeitverzögerungen und des Betriebs mit einer Versorgungsspannung bis hinunter zu 5 V hervorragend für den Antrieb von Hochgeschwindigkeits-GaN- und Silizium-FETs.

Der STDRIVEG600 verfügt über einen UVLO-Schutz (Unterspannungssperre) auf dem unteren und oberen Antriebsbereich, wodurch verhindert wird, dass die Leistungsschalter in einem niedrigen Wirkungsgrad oder gefährlichen Bedingungen betrieben werden. Darüber hinaus enthält das Bauteil eine Verriegelungsfunktion, die Querleitungsbedingungen eliminiert.

Die Logikeingänge sind CMOS/TTL-kompatibel bis hinunter zu 3,3 V für eine einfache Verbindung mit Mikrocontrollern und DSPs.

Der STDRIVE600 Halbbrücken-Gate-Treiber von STMicroelectronics ist in einem SO-16-Gehäuse mit einem Sperrschicht-Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis 150 °C verfügbar.

Merkmale

Treiberstrombelastbarkeit
- 1.3A/2.4A Quelle/Senke typ. bei 25 °C, 6 V
- 5A/6A Quelle/Senke typ. bei 25 °C, 15 V
Getrennte Ein- und Ausschalt-Gate-Treiber-pins
45 ns Laufzeitverzögerung mit enger Anpassung
3 V, 5 V TTL/CMOS-Eingänge mit Hysterese
Verriegelungsfunktion