STMicroelectronics EVSTDRIVEG600DM Demonstrationsboard
Das EVSTDRIVEG600DM Demonstrationsboard von STMicroelectronics bietet ein Halbbrücken-Topologie-Referenzdesign, das den STDRIVEG600 Gate-Treiber mit einem MDmesh™ DM2 Leistungs-MOSFET kombiniert. Der STDRIVEG600 ist ein Einzel chip-Halb Brücken-gate - Treiber für GaN - (Galliumnitrid) - eHEMTs (Anreicherung Modus-High-Electron-Mobility - Transistoren) oder n-Kanal - Leistungs-MOSFETs. Die High-Side des STDRIVEG600 ist für Spannungen von bis zu 600 V ausgelegt und eignet sich für Designs mit einer Busspannung von bis zu 500 V.
Das EVSTDRIVEG600DG Demonstrationsboard von STMicroelectronics enthält einen vormontierten STDRIVEG600 in einem SO-16-Gehäuse und einen STL33N60DM2 115-mΩ-MDmesh-DM2-Leistungs-MOSFET in einem PowerFLAT™-8x8-HV-Gehäuse mit Kelvin-Quelle. Das Demonstrationsboard verfügt außerdem über einen On-Board-programmierbaren Totzeitgenerator und einen 3,3-V-Linearspannungsregler zur Versorgung von externen Logik-Controllern wie Mikrocontrollern.
Ersatz-Footprints sind enthalten, um eine Anpassung des Boards für die endgültige Applikation zu ermöglichen, wie ein separates Eingangssignal oder ein einzelnes PWM-Signal, die Verwendung einer optionalen externen Bootstrap-Diode, eine separate Versorgung für VCC, PVCC oder BOOT und die Verwendung eines Low-Side-Shunt-Widerstands für Spitzenstrommodus-Topologien.
Merkmale
- Halbbrücken-Topologie basierend auf dem STDRIVEG600 Gate-Treiber
- STL33N60DM2 115-mΩ-600-V-MDmesh DM2-Leistungs-MOSFET
- PowerFLAT-HV-Gehäuse mit Kelvin-Quelle
- ST715M33R 3,3-V-LDO-Linearregler
- HV bis zu 500 V
- Gate-Treiber-Versorgungsspannung von 4,75 V bis 6,5 V VCC, begrenzt durch GaN-VGS-Einstufung
- On-Board-einstellbarer Totzeitgenerator zur Umwandlung des einzelnen PWM-Signals in unabhängige High-Side- und Low-Side-Totzeiten
- Optionale getrennte Eingänge mit externer Totzeit
- 25 °C/W Sperrtemperatur zu thermischem Umgebungswiderstand zur Evaluierung von großen Leistungstopologien
- Hochfrequenz-Steckverbinder für Gate-GaN-Leistungstransistor-Überwachung
- Optionaler Low-Side-Shunt
- FR-4 PCB 50 mm x 70 mm
- RoHS-konform
Dokumente
Unterstützte Bauteile
STMicroelectronics STDRIVEG600 Halbbrücken-Gate-Treiber
Einzelchip-Halbbrücken-gate-Treiber für Anreicherungstyp-GaN-FETs oder n-Kanal-Leistungs-MOSFETs.
STMicroelectronics STx24N60DM2 n-Kanal-, FDmesh II Plus™ Leistungs-MOSFETs
Eine neue Generation von Leistungs-MOSFETs, erstellt mit der neuen MDmesh™-Technologie: MDmesh II Plus™ Low Qg.
Dazugehörige Development Tools
STMicroelectronics EVSTDRIVEG600DG Demonstrationsboard
Halbbrücken-Referenzdesign kombiniert den STDRIVEG600 Gate-Treiber mit einem 650-V-GaN-HEMT.
Board-Layout
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