ROHM Semiconductor TLR377GYZ CMOS-Operationsverstärker

Der ROHM Semiconductor TLR377GYZ CMOS-Operationsverstärker ist ein extrem kleiner (0,88 mm x 0,58 mm x 0,33 mm) Rail-to-Rail-Eingangs-/Ausgangs-Einzelverstärker. Der TLR377GYZ von ROHM Semiconductor hat eine niedrige Eingangs-Offset-Spannung, ein geringes Rauschen und einen Eingangsruhestrom. Das Bauteil eignet sich für Geräte, die mit einer Batterie betrieben werden.

Der TLR377GYZ gleicht Miniaturisierung und hohe Genauigkeit mit den proprietären Schaltungsdesign-, Prozess- und Gehäusetechnologien von ROHM aus. Die Erhöhung der Größe der eingebauten Transistoren reduziert die Eingangs-Offset-Spannung und das Rauschen, beeinträchtigt aber die Miniaturisierung. Der ROHM hat Schaltungen entwickelt, die eine maximale Offsetspannung so niedrig wie 1 mV beibehalten, ohne die Transistorgröße zu erhöhen. Darüber hinaus reduziert die fortschrittliche Prozesstechnologie Flimmergeräusche erheblich und durch die Optimierung der Widerstandskomponenten auf Elementebene wird ein extrem geringes Rauschen mit einer Eingangsspannungsdichte von 12 nV/√Hz erreicht. Darüber hinaus verfügt der TLR377GYZ über ein WLCSP (Wafer Level Chip Scale Package) mit einem Ball-Rastermaß von 0,3 mm unter Verwendung der proprietären Gehäusetechnologie. Dieses Design reduziert die Größe um ca. 69 % im Vergleich zu herkömmlichen Produkten und 46 % zu kompakten Produkte.

Merkmale

Ultra-kleines Gehäuse WLCSP
Niedrige Eingangs-Offset-Spannung
Rauscharm
Rail-to-Rail-Ein-/Ausgang
1,0 mV maximale Eingangs-Offset-Spannung
Typischer Eingangsruhestrom: 0,5 pA
7,0 V maximale Versorgungsspannung
-20 °C bis +85 °C Betriebstemperaturbereich

Typische eingangsbezogene Rauschspannungsdichte
- 50 nV/√Hz wenn f = 10 Hz
- 12 nV/√Hz wenn f = 1 kHz
Betriebsversorgungsspannung
- 1,8 V bis 5,5 V Einzelversorgungsbereich
- Dualer Versorgungsbereich: ±0,9 V bis ±2,75 V
YCSP30L1 6-Pin-Gehäuse, 0,88 mm x 0,58 mm x 0,33 mm (B typisch x D typisch x H max.)