ROHM Semiconductor RRQ030P03HZG p-Kanal-Fahrzeug-MOSFET
Der ROHM Semiconductor RRQ030P03HZG p-Kanal-Kleinsignal-MOSFET bietet einen niedrigen Einschaltwiderstand und enthält eine eingebaute G-S-Diode. Dieser MOSFET bietet -30 V Drain-Source-Spannung (VDSS), ±3 A Dauersenkenstrom (ID) und 1,25 W Verlustleistung (PD). Der RRQ030P03HZG MOSFET verfügt über eine bleifreie Leitungsbeschichtung und eine AEC-Q101-Qualifizierung. Der RRQ030P03HZG MOSFET von ROHM Semiconductor wird in einem kleinen oberflächenmontierbaren TSMT6-Gehäuse geliefert und eignet sich hervorragend für Schaltapplikationen.
Merkmale
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Integrierte G-S-Diode
- Kleines TSMT6-Gehäuse zur Oberflächenmontage
- Bleifreie Leitungsbeschichtung
- RoHS-konform
- AEC-Q101-qualifiziert
Technische Daten
- -30 V Drain-Source-Spannung (VDSS)
- 75 mΩ Maximaler statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand (RDS (on))
- ±3 A Dauersenkenstrom (ID)
- 1,25 W Verlustleistung (PD)
- -55 °C bis +150 °C Sperrschicht-Betriebstemperaturbereich
Innenschaltungs-Diagramm
Leistungsdiagramme
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Veröffentlichungsdatum: 2020-11-18
| Aktualisiert: 2024-10-29