ROHM Semiconductor RQ7 Pch Leistungs-MOSFETs
ROHM Semiconductor RQ7 Pch Leistungs-MOSFETs verfügen über einen niedrigen Einschaltwiderstand und sind in einem kleinen oberflächenmontierbaren TSMT8-Gehäuse untergebracht. Der ROHM bietet ein breites Spannungsangebot von Kleinsignalprodukten bis zu 800 V Hochspannungsprodukten. Sie können für verschiedene Applikationen wie Stromversorgungen und Motorantriebsschaltungen verwendet werden.
Merkmale
- Niedriger On-Widerstand
- Kleines Gehäuse zur Oberflächenmontage (TSMT8)
- Bleifreie Beschichtung, RoHS-kompatibel
Applikationen
- Schaltung
Produktlinie
Marktanwendungen
Verbesserter Einschaltwiderstand
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| Teilnummer | Datenblatt | Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung | Id - Drain-Gleichstrom | Rds On - Drain-Source-Widerstand | Qg - Gate-Ladung |
|---|---|---|---|---|---|
| RQ7G080BGTCR |  |
40 V | 8 A | 16.5 mOhms | 10.6 nC |
| RQ7P035ATTCR | |
100 V | 3.5 A | 111 mOhms | 40 nC |
| RQ7G080ATTCR | |
40 V | 8 A | 18.2 mOhms | 37 nC |
| RQ7L050ATTCR | |
60 V | 5 A | 39 mOhms | 38 nC |