ROHM Semiconductor RGSx0TSX2x Field-Stop-Trench-IGBTs
Die Field Stop Trench IGBTs RGSx0TSX2x von ROHM Semiconductor sind 10 µs SCSOA (Short Circuit Safety Operating Area) garantierte Insulated Gate Bipolar Transistoren, die für allgemeine Wechselrichter-, USV-, PV-Wechselrichter- und Power Conditioner-Applikationen geeignet sind. Die RGSx0TSX2x IGBTs bieten einen geringen Leitungsverlust, der zu einer reduzierten Größe und einem verbesserten Wirkungsgrad beiträgt. Diese Bauelemente nutzen die originale Trench-Gate- und Thin-Wafer-Technologie. Mithilfe dieser Technologien kann eine niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (VCE(sat)) mit reduzierten Schaltverlusten erzielt werden. Diese IGBTs bieten höhere Energieeinsparungen in einer Vielzahl von Hochspannungs- und Hochstrom-Applikationen.Die RGSx0TSX2x Field-Stop-Trench-IGBTs von ROHM Semiconductor werden in einem TO-247N-Gehäuse angeboten. Die RGS80TSX2D, RGS30TSX2D und RGS50TSX2D verfügen außerdem über eine integrierte schnelle Freilaufdiode (FRD).
Merkmale
- Kurzschlussfestigkeit: 10 μs
- Eingebaute FRD-Diode für schnelle und sanfte Wiederherstellung (nur RGS80TSX2D, RGS30TSX2D und RGS50TSX2D)
- 1.200 V Kollektor-Emitter-Spannung (VCES)
- Gate-Emitter-Spannung (VGES): ±30 V
- 1,7 V Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (VCE(sat))
- 7-V-Gate-Emitter-Schwellenspannung (VGE(th))
- Sperrschicht-Betriebstemperaturbereich: -40 °C bis +175 °C
- TO-247N-Gehäuse
- Bleifrei und RoHS-konform
Applikationen
- Universal-Wechselrichter
- USV
- PV-Umrichter
- Leistungsregler
Pinbelegung
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| Teilnummer | Datenblatt | Kollektorgleichstrom bei 25 C | Pd - Verlustleistung |
|---|---|---|---|
| RGS30TSX2DGC11 | ![]() |
30 A | 267 W |
| RGS50TSX2GC11 | ![]() |
50 A | 395 W |
| RGS80TSX2GC11 | ![]() |
80 A | 555 W |
| RGS30TSX2GC11 | ![]() |
30 A | 267 W |
| RGS80TSX2DGC11 | ![]() |
80 A | 555 W |
| RGS50TSX2DGC11 | ![]() |
50 A | 395 W |
Veröffentlichungsdatum: 2021-03-17
| Aktualisiert: 2022-03-11

