ROHM Semiconductor RGS30TSX2DHR und RGS30TSX2HR AEC-Q101-IGBTs
Die RGS30TSX2DHR und RGS30TSX2HR AEC-Q101 Field-Stop-Trench-IGBTs von ROHM Semiconductor sind 10µs SCSOA (Short Circuit Safety Operating Area) garantierte Bipolartransistoren mit isoliertem Gate, die sich für den allgemeinen Wechselrichtereinsatz in Automotive- und Industrieapplikationen eignen. Die RGS30TSX2DHR und RGS30TSX2HR bieten einen geringen Leitungsverlust, der zu einer geringeren Größe und einem verbesserten Wirkungsgrad beiträgt. Diese Bauelemente nutzen die originale Trench-Gate- und Thin-Wafer-Technologie. Mithilfe dieser Technologien kann eine niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (VCE(sat)) mit reduzierten Schaltverlusten erzielt werden. Diese IGBTs bieten höhere Energieeinsparungen in einer Vielzahl von Hochspannungs- und Hochstrom-Applikationen.
Die RGS30TSX2DHR und RGS30TSX2HR IGBTs von ROHM Semiconductor werden in einem TO-247N-Gehäuse angeboten und sind nach AEC-Q101 für den Einsatz in Automotive-Applikationen qualifiziert. Der RGS30TSX2DHR verfügt außerdem über eine integrierte Fast-Recovery-Diode (FRD).
Merkmale
- AEC-Q101-qualifiziert
- Kurzschlussfestigkeit: 10 μs
- Eingebaute FRD-Diode für schnelle und sanfte Wiederherstellung (nur RGS30TSX2DHR)
- 1.200 V Kollektor-Emitter-Spannung (VCES)
- Gate-Emitter-Spannung (VGES): ±30 V
- 1,7 V Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (VCE(sat))
- Kollektorstrom (IC): 15 A
- 7-V-Gate-Emitter-Schwellenspannung (VGE(th))
- Verlustleistung (PD): 277 W
- Sperrschicht-Betriebstemperaturbereich: -40 °C bis +175 °C
- TO-247N-Gehäuse
- Bleifrei und RoHS-konform
Applikationen
- Allgemeiner Wechselrichter für Automotive- und Industrie-Applikationen
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Bieten einen niedrigen Leitungsverlust und eine niedrige VCE(sat) mit reduzierten Schaltverlusten.
Pinbelegung
Veröffentlichungsdatum: 2021-03-17
| Aktualisiert: 2022-03-11