ROHM Semiconductor RBRxxBGE Schottky-Barriere-Dioden
Die RBRxxBGE Schottky-Barriere-Dioden von ROHM Semiconductor verfügen über eine Silizium-Epitaxial-Planarstruktur und eine periodische Spitzensperrspannung von 30 V, 40 V oder 60 V. Die RBRxxBGE Schottky-Barriere-Dioden bieten eine hohe Zuverlässigkeit, eine niedrige VF und eine gängige Dual-Kathode. Die RBRxxBGE-Dioden von ROHM sind für Schaltnetzteil-Applikationen ausgelegt.
Merkmale
- Hohe Zuverlässigkeit
- Typ Power Mold
- Gemeinsame Kathode, dualer Typ
- Niedrige VF
ROHMs Leistungsdioden- Produktfamilie
Gehäuseausführung
Weitere Ressourcen
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Veröffentlichungsdatum: 2021-02-04
| Aktualisiert: 2022-03-11