ROHM Semiconductor RBR40NSx0AFH Schottky-Barriere-Dioden für die Automobilindustrie
Die Schottky-Barriere-Dioden RBR40NSx0AFH für die Automobilindustrie von ROHM Semiconductor sind hochzuverlässige Dioden mit niedriger VF. Diese Barriere-Dioden verfügen über einen Power-Mold-Typ und einen gängigen Kathoden-Doppeltyp und sind mit einer Silizium-Epitaxie-Planarstruktur ausgestattet. Die Dioden RBR40NSx0AFH werden in einem Temperaturbereich von -55 °C bis +150 °C gelagert. Diese Barriere-Dioden arbeiten bei einem durchschnittlichen gleichgerichteten Durchlassstrom von 40 A, einem Spitzen-Durchlassstoßstrom von 100 A und einer Sperrschichttemperatur von +150 °C. Die RBR40NSx0AFH Schottky-Barriere-Dioden für die Automobilindustrie von ROHM Semiconductor eignen sich hervorragend für den Einsatz in Schaltnetzteilen
Merkmale
- Hohe Zuverlässigkeit
- Typ Power Mold
- Gängiger Kathoden-Doppeltyp
- Niedrige VF
- Silizium-Epitaxie-Planarstruktur
Technische Daten
- RBR40NS40AFH
- 40 V Periodische Spitzensperrspannung
- 40 V Sperrspannung
- RBR40NS30AFH
- 30 V Periodische Spitzensperrspannung
- 30 V Sperrspannung
- -55 °C bis +150 °C Lagertemperaturbereich
- +150 °C Sperrschichttemperatur
- 40 A Durchschnittlicher gleichgerichteter Durchlassstrom
- 100 A Spitzen-Stoßstrom in Vorwärtsrichtung
Schaltplan
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ROHM Semiconductor Automotive Schottky Barrier Diodes
A wide array of high-reliability, low-loss diodes are available in various packages.
Veröffentlichungsdatum: 2020-04-07
| Aktualisiert: 2024-09-24