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ROHM Semiconductor Automotive-Leistungs-MOSFETs 40 A und 80 A

Die 40 A und 80 A Automotive-Leistungs-MOSFETs   von ROHM sind n-Kanal- und p-Kanal-Bauteile. Diese AEC-Q101-qualifizierten MOSFETs verfügen über einen niedrigen On-Widerstand, einen gepulsten Drainstrom von ±80A/±160 A und eine Verlustleistung von bis zu 142 W. Die 40 A und 80 A Leistungs-MOSFETs werden in einem Temperaturbereich von -55°C bis 175°C betrieben und sind 100 % avalanche-getestet. Diese Leistungs-MOSFETs eignen sich hervorragend für FAS, Fahrzeuganwendungen und Beleuchtungsapplikationen.

Merkmale

  • Niedriger On-Widerstand
  • Gepulster Drainstrom: ± 80A/± 160A
  • Bis zu 142 W Verlustleistung
  • Temperaturbereich: -55 °C bis 175 °C
  • 100 % Avalanche-getestet
  • Bleifreie Beschichtung
  • RoHS-konform

Applikationen

  • ADAS
  • Automobil-Applikationen
  • Beleuchtung

Datenblätter

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Teilnummer Datenblatt Abfallzeit Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min. Id - Drain-Gleichstrom Pd - Verlustleistung Qg - Gate-Ladung Rds On - Drain-Source-Widerstand Transistorpolung Regelabschaltverzögerungszeit Typische Einschaltverzögerungszeit Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
RD3E08BBJHRBTL RD3E08BBJHRBTL Datenblatt 180 ns 20 S 80 A 142 W 150 nC 3.7 mOhms P-Channel 220 ns 19 ns 30 V - 20 V, 5 V 2.5 V
RD3G08DBKHRBTL RD3G08DBKHRBTL Datenblatt 15 ns 12.1 S 80 A 76 W 28 nC 4.1 mOhms N-Channel 56 ns 18 ns 40 V 20 V 2.5 V
RH7G04BBJFRATCB RH7G04BBJFRATCB Datenblatt 97 ns 14 S 40 A 75 W 25 nC 11.9 mOhms P-Channel 175 ns 14 ns 40 V - 20 V, 5 V 2.5 V
AG091FLD3HRBTL AG091FLD3HRBTL Datenblatt 11 ns 12 S 80 A 76 W 22 nC 7.5 mOhms N-Channel 50 ns 18 ns 60 V 20 V 2.5 V
RD3L08DBKHRBTL RD3L08DBKHRBTL Datenblatt 11 ns 12 S 80 A 76 W 22 nC 7.5 mOhms N-Channel 50 ns 18 ns 60 V 20 V 2.5 V
Veröffentlichungsdatum: 2025-05-19 | Aktualisiert: 2025-10-09