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ROHM Semiconductor 650 V GaN-HEMT-Leistungsstufen-Evaluierungsboards

Die ROHM Semiconductor 650 V GaN HEMT Leistungsstufen-Evaluierungsboards werden zur Evaluierung der 650 V GaN HEMT-Leistungsstufen-ICs verwendet. Die ROHM Semiconductor BM3G007MUV-EVK-003 Platine besteht aus dem BM3G007MUV (GaN FET (650 V 70mΩ), integriertem Treiber und Schaltung) und einer Platine, auf der periphere Bauelemente montiert sind. Die BM3G015MUV-EVK-003 Evaluierungsboard besteht aus dem BM3G015MUV (GaN FET (650 V 150mΩ), integriertem Treiber und Schaltung) und einer Platine, auf der Bauelemente montiert sind. Die BM3G007MUV-EVK-002 Referenzplatine gibt 400 V Spannung vom Eingang von 90 Vac bis 264 Vac aus.

Merkmale

  • BM3G007MUV-EVK-002
    • Gibt 400 V Spannung vom Eingang von 90Vac bis 264Vac aus
    • Ausgangsstromversorgung bis zu 0,6 A
    • Eingebauter GaN-HEMT (650 V 70 mΩ), Treiber und Schutzschaltung
    • GaN-Leistungsstufe erreicht einen maximalen Wirkungsgrad von 97,8 %
    • Der BD7695FJ, der BCM-Methode PFC-controller-IC wird verwendet
    • Der BD7695FJ versorgt das system, das sich für alle Produkte eignet, die PFC erfordern
    • Der BCM wird für das PFC-Bauteil verwendet und die Nullstromerkennung reduziert sowohl Schaltverluste als auch Rauschen
    • Der THD beträgt typischerweise 8,4 %
  • BM3G015MUV-EVK-003
    • Besteht aus dem BM3G015MUV (GaN-FET (650 V 150 mΩ), einem integrierten Treiber und einer Schutzschaltung) und einem board, auf dem Peripheriekomponenten montiert sind
    • Der IC ist so konzipiert, dass er gängige bestehende Controller so anpassen kann, dass er auch herkömmliche diskrete Leistungsschalter wie Anschluss-MOSFETs ersetzen kann.
  • BM3G007MUV-EVK-003
    • Besteht aus dem BM3G007MUV (GaN-FET (650 V 70 mΩ), einem integrierten Treiber und einer Schutzschaltung) und einem Board, auf dem Peripheriekomponenten montiert sind
    • Der IC ist zur Anpassung der wichtigsten bestehenden Controller ausgelegt, so dass er auch als Ersatz für herkömmliche diskrete Leistungsschalter, wie z. B. super-junction-MOSFET, verwendet werden kann.

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Veröffentlichungsdatum: 2023-07-19 | Aktualisiert: 2026-01-20