Qorvo QPD0011 48-V-GaN-auf-SiC-HEMT mit 30 W/60 W
Der Qorvo QPD0011 48-V-GaN-auf-SiC-HEMT mit 30 W/60 W (Galliumnitrid, GaN) ist ein asymmetrischer Dual-Pfad-Leistungsverstärker-Transistor für Doherty-Applikationen. Der QPD0011 verfügt über einen Frequenzbereich von 3,3 GHz bis 3,6 GHz und eine maximale Doherty-Gain von 13,3 dB. In jedem Pfad befindet sich ein einstufiger Verstärker-Transistor. Das QPD0011 kann eine durchschnittliche Leistung von 15 W in einer Doherty-Konfiguration liefern.
Der QPD0011 GaN-auf-SiC-HEMT von Qorvo wird in einem kompakten DFN-Gehäuse von 7,0 mm x 6,5 mm angeboten.
Merkmale
- Betriebsfrequenzbereich von 3,3 GHz bis 3,6 GHz
- Betriebs-Drain-Spannung (VD): +48 V
- Maximale Doherty-Spitzenleistung von 90 W bei 3,5 GHz
- Maximaler Doherty-Drain-Wirkungsgrad von 48 % bei 3,5 GHz
- Maximale Doherty-Gain von 13,3 dB bei 3,5 GHz
- Ausgangsleistung bei Sättigung (PSAT): 49,5 dBm
- 65 mA Ruhe-Drainstrom (IDQ)
- DFN-Gehäuse von 7,0 mm x 6,5 mm
- Halogenfrei, bleifrei und RoHS-konform
Applikationen
- WCDMA und LTE
- Mikrozellen-Basisstationen
- Mikrozellen-Basisstationen
- Kleinzelle
- Aktive Antenne
- Massive 5G-MIMO
- Asymmetrische Doherty-Applikationen
Development Tools
Qorvo QPD0011EVB1 Evaluierungsboard
Demonstrations- und Entwicklungsplattform für den QPD0011 30-W-/60-W-GaN-auf-SiC-HEMT.
Veröffentlichungsdatum: 2021-04-22
| Aktualisiert: 2022-03-11