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onsemi UF3N120007K4S JFET N-Kanal-Transistor mit 1.200 V

Der EliteSic-JFET-N-Kanal-Transistor mit 1.200 V UF3N120007K4S von onsemi ist ein Hochleistungs-SiC-JFET-Transistor der 3. Generation mit 1.200 V und 7,1 mΩ und normalerweise geschlossenem Schaltzustand. Dieses Gerät weist einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand [RDS(ON)] in einem TO247-4 Gehäuse auf und ist daher bestens geeignet für die Bewältigung anspruchsvoller thermischer Einschränkungen von Halbleiter-Leistungsschaltern und Relaisanwendungen. Bei dem Bauteil UF3N120007K4SJFET von onsemi handelt es sich um eine robuste Technologie, die dazu ausgelegt ist, die in Schaltungsschutzapplikationen erforderliche Hochenergieumschaltung durchzuführen.

Merkmale

  • Einstelliger Einschaltwiderstand [RDS(ON)]
  • Maximale Betriebstemperatur: +175 °C
  • Hohe Impulsstromfähigkeit
  • Hervorragende Geräterobustheit
  • Silbergesinterte Plättchen werden für einen exzellenten thermischer Widerstand angebracht
  • Bleifrei, halogenfrei und RoHS-konform

Applikationen

  • Halbleiter-Leistungsschalter
  • Halbleiterrelais
  • Batterietrennschalter
  • Überspannungsschutz
  • Einschaltstromregelung
  • Induktionserwärmung

Technische Daten

  • Drain-Source-Spannung (VDS): 1.200 V
  • Dauersenkenstrom (ID) bei TC < +112 °c:="">
  • Gepulster Drainstrom (IDM) bei TC < +25 °c:="">
  • Verlustleistung (PTOT) bei TC < +25 °c:="">
  • Gesamt-Gate-Ladung (QG) mit VDS = 800 V, ID = 100 A, VGS = -18 V – 0 V: 830 nC
  • Drain-Source-Einschaltwiderstand [RDS(ON)]
    • 7,1 mΩ (typisch) bei VGS = 2 V, ID = 100 A, TJ = +25 C
    • 8,6 mΩ (typisch) bei VGS = 0 V, ID = 100 A, TJ = +25 °C
    • 15,5 mΩ (typisch) bei VGS = 2 V, I D = 100 A, TJ = +175 °C
    • 17,8 mΩ (typisch) bei VGS = 0 V, ID = 100 A, TJ = +175 °C
  • Maximale Sperrschichttemperatur (TJ, max): +175 °C

Schaltung

Schaltplan - onsemi UF3N120007K4S JFET N-Kanal-Transistor mit 1.200 V

Paketdiagramm

Tabelle - onsemi UF3N120007K4S JFET N-Kanal-Transistor mit 1.200 V

Verwandter JFET-Transistor

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Veröffentlichungsdatum: 2025-07-30 | Aktualisiert: 2025-08-05