onsemi NXH40B120MNQ1 Vollständiges SiC-MOSFET-Modul

Das vollständige SiC-MOSFET-Modul NXH40B120MNQ1 von onsemi enthält eine duale vollständige SiC-Aufwärtsstufe, die aus drei SiC-MOSFETs mit 40 m Ω/ 1.200 V und drei SiC-Dioden mit 40 A/1.200 V besteht. Dieses SiC-MOSFET-Modul verfügt über drei zusätzliche 50-A-/1.200-V- Bypass-Gleichrichter für die Einschaltstrombegrenzung. Das NXH40B120MNQ1 Modul verfügt über eine niedrige Sperrverzögerung, schnellschaltende SiC-Dioden, ein Layout mit niedriger Induktivität, lötbare Pins, einen Thermistor und ist bleifrei, halogen-/BFR-frei und RoHS-konform. Dieses SiC-MOSFET-Modul eignet sich hervorragend für den Einsatz in Solarwechselrichtern und unterbrechungsfreien Stromversorgungen.