onsemi NVBG025N065SC1 Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs

onsemi NVBG025N065SC1 Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs bieten im Vergleich zu Silizium eine bessere Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit. Der NVBG025N065SC1 von onsemi zeichnet sich durch einen niedrigen On-Widerstand und eine kompakte Chip-Größe aus, wodurch eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung gewährleistet wird. Zu den Vorteilen des Systems gehören ein hoher Wirkungsgrad, eine schnelle Betriebsfrequenz, eine erhöhte Leistungsdichte, eine reduzierte EMI und eine kleinere Systemgröße.

Merkmale

  • Typ. RDS(on) = 19 m bei VGS = 18 V
  • Typ. RDS(on) = 25 m bei VGS = 15 V
  • Extrem niedrige Gate-Ladung (QG(tot) = 164 nC)
  • Niedrige Ausgangskapazität (Coss = 278 pF)
  • 100 % Avalanche-getestet
  • AEC-Q101-qualifiziert und PAAP-fähig
  • RoHS-konform

Applikationen

  • Automotive-On-Board-Ladegerät
  • Automotive-DC/DC-Wandler für EV/HEV
Veröffentlichungsdatum: 2023-01-05 | Aktualisiert: 2024-06-18