onsemi NTMTSC1D5N08MC Leistungs-MOSFET
Der onsemi NTMTSC1D5N08MC Leistungs-MOSFET ist ein n-Einkanal-Dual-COOL®-MOSFET mit einem kleinen Footprint (8 mm x 8 mm) für kompakte Designs. Dieser MOSFET bietet eine Drain-Source-Spannung von 80 V und einen Drain-Strom von 287 A. Der NTMTSC1D5N08MC MOSFET zeichnet sich durch eine niedrige QG und eine niedrige Kapazität aus, um Treiberverluste zu minimieren. Dieser MOSFET eignet sich für Elektrowerkzeuge, batteriebetriebene Staubsauger, UAV/Drohnen, Materialtransport, BMS/Speicher und Heimautomation.
Merkmale
- Kleiner Footprint (8 mm x 8 mm) für ein kompaktes Design
- Niedriger RDS(on) zur Reduzierung von Leitungsverlusten
- Drain-Source-Spannung (VDSS) von 80 V
- Niedrige QG und niedrige Kapazität zur Reduzierung von Treiberverlusten
- Bauteile sind bleifrei, Halogen-/BFR-frei und RoHS-konform
Applikationen
- Elektrowerkzeuge und batteriebetriebene Staubsauger
- UAVs/Drohnen und Materialtransport
- BMS/Speicher und Heimautomatisierung
n-Kanal-MOSFET
Eigenschaften der GATE-Ladung
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Veröffentlichungsdatum: 2023-05-03
| Aktualisiert: 2023-07-19