onsemi NTMFS3D2N10MD N-Kanal MOSFET
Der onsemi NTMFS3D2N10MD n-Kanal-MOSFET wird mit einem fortschrittlichen PowerTrench® -Verfahren hergestellt, das die abgeschirmte Gate-Technologie umfasst. Dieser Prozess wurde für den Einschaltwiderstand RDS(on) zur Reduzierung von Leitungsverlusten optimiert und bietet trotzdem eine überragende Schaltleistung. Der NTMFS3D2N10MD MOSFET verfügt über einen niedrigen QG und eine niedrige Kapazität zur Reduzierung von Treiberverlusten, einen niedrigen QRR, eine Soft-Recovery-Bodydiode und einen niedrigen Q OSS zur Verbesserung des Wirkungsgrads bei geringer Last. Zu den typischen Applikationen gehören Primärschalter in isolierten DC/DC-Wandlern, AC/DC-Adapter, Synchrongleichrichtung in DC/DC und AC/DC, BLDC-Motoren, Lastschalter und Solarwechselrichter.
Merkmale
- Abgeschirmte Gate-MOSFET-Technologie
- Max. RDS(on)= 3,5 mΩ bei VGS= 10 V, ID= 50 A = 50A
- Max. RDS(on)= 5,8 mΩ bei VGS= 6 V, ID= 30,5 A
- Drain-Source-Spannung (VDSS): 100 V
- Dauersenkenstrom (ID max.): 142 A
- Hoher Wirkungsgrad und reduziert das Schaltrauschen/EMI
- Niedriger RDS(on) zur Reduzierung von Leitungsverlusten
- Niedriger QG und geringe Kapazität zur Reduzierung von Treiberverlusten
- Niedriger QRR und Soft-Recovery-Bodydiode
- Niedriger QOSS zur Verbesserung des Wirkungsgrads bei geringer Last
- MSL1 robustes Gehäusedesign
- 100 % UIL-getestet
- RoHs-konform
Applikationen
- Primärschalter in isoliertem DC/DC-Wandler
- Synchrongleichrichtung (SR) in DC/DC und AC/DC
- AC/DC-Adapter-SR (USB-PD)
- Netzteil
- Lastschalter
- Motorantrieb
- Hot-Swap- und O-Ring-Schalter
- BLDC-Motor
- Solarwechselrichter
Verwandte Produkte
onsemi PowerTrench Technologie
Repräsentiert die Weiterentwicklung der PowerTrench Technologie, insbesondere von T6 bis T10.
Veröffentlichungsdatum: 2022-02-22
| Aktualisiert: 2024-06-14