onsemi NTMFS0D7N04XM n-Einkanal-Leistungs-MOSFET
Der onsemi NTMFS0D7N04XM n-Einkanal-Leistungs-MOSFET ist ein Standard-Gate-Level-Leistungs-MOSFET von 40 V mit führendem On-Widerstand für Motortreiber-Applikationen. Der niedrigere On-Widerstand und die Gate-Ladung können Leitungs- und Antriebsverluste reduzieren. Eine gute Weichheitskontrolle für die Sperrverzögerung der Bodydioden kann die Spannungsspitzenbelastung ohne zusätzliche Snubber-Schaltung in einer Applikation reduzieren.
Merkmale
- Niedriger RDS(on) zur Reduzierung von Leitungsverlusten
- Niedrige Kapazität zur Reduzierung von Treiberverlusten
- Kleiner Footprint (5 mm x 6 mm) mit kompaktem Design
- Bleifrei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform
Applikationen
- Motorantriebe
- Batterieschutz
- O-Ringe
Technische Daten
- Maximale Drain-Source-Spannung: 40 V
- Maximale Gate-Source-Spannung: ±20 V
- Maximaler Dauersenkenstrombereich: 38,5 bis 323 A
- Maximale Verlustleistung: 134 W
- Maximaler gepulster Drainstrom: 2.201 A
- Maximaler Body-Dioden-Quellstrom: 202 A
- Maximale Einzel-Avalanche-Energie: 987 mJ
- Gesamt-Gate-Ladung: 72,1 nC (typisch)
- Schwellwert-Gate-Ladung: 13,5 nC (typisch)
- Gate-Source-Ladung: 20,6 nC (typisch)
- Gate-Drain-Ladung: 13,3 nC (typisch)
- Sperrverzögerungsladung: 139 nC (typisch)
- Sperrschicht-Betriebstemperaturbereich: -55 °C bis +175 °C
- Typische Schaltzeit
- Einschaltverzögerung: 25,8 ns
- Anstieg: 8,12 ns
- Ausschaltverzögerung: 39,1 ns
- Abfall: 6,32 ns
- Typische Kapazitäten
- Eingang: 4.621 pF
- Ausgang: 3.328 pF
- Rückwärtsübertragung: 68,2 pF
- Thermischer Widerstand
- Sperrschicht-zu-Gehäuse: 1,11 °C/W
- Sperrschicht-zu-Umgebung: 39,3°C/W
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Veröffentlichungsdatum: 2024-02-19
| Aktualisiert: 2024-06-14