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onsemi NTH4L075N065SC1 57-mOhm-Siliziumkarbid-MOSFET

Der onsemi NTH4L075N065SC1 57-mOhm-Siliziumkarbid-MOSFET ist in einem TO-247-4L-Gehäuse untergebracht und auf Schnelligkeit und Robustheit ausgelegt. Die NTH4L075N065SC1 Bauteile von onsemi bieten eine 10x höhere dielektrische Durchbruchfeldstärke und 2x höhere Elektroden-Sättigungsgeschwindigkeit. Die MOSFETs bieten auch eine 3x höhere Energiebandlücke und eine 3x höhere Wärmeleitfähigkeit. Alle SiC-   von    umfassen AEC-Q101-qualifizierte und PPAP-fähige Optionen, die speziell für Fahrzeuganwendungen und Industrieapplikationen ausgelegt und qualifiziert sind.

Merkmale

  • Typ. RDS(on) = 57 m bei VGS = 18 V
  • Typ. RDS(on) = 75 m bei VGS = 15 V
  • Ultra-niedrige Gate-Ladung (QG(tot) = 61 nC)
  • Niedrige Ausgangskapazität (Coss = 107 pF)
  • 100 % Avalanche-getestet
  • TJ = 175 °C
  • Dieses Bauteil ist halogenfrei und RoHS-konform mit Ausnahme 7a, bleifrei 2LI (auf der zweiten Ebene der Zusammenschaltung)

Applikationen

  • SMPS (Stromversorgungen im Schaltmodus)
  • Solarwechselrichter
  • UPS (Unterbrechungsfreie Stromversorgungen)
  • Energiespeicher

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Veröffentlichungsdatum: 2022-08-23 | Aktualisiert: 2024-06-19