onsemi NTH4L014N120M3P Siliziumkarbid(SiC)-MOSFET
Der Siliziumcarbid(SiC)-MOSFET NTH4L014N120M3P von onsemi ist für Schnellschalt-Applikationen optimiert. Die MOSFET von onsemi verfügt über eine Planar-Technologie, die zuverlässig mit negativen Gate-Spannungsantrieben arbeitet und Spikes auf dem Gate ausschaltet. Diese Produktfamilie bietet eine optimale Leistung bei Betrieb mit einem Gate-Drive von 18 V, funktioniert aber auch gut mit einem 15-V-Gate-Drive.
Merkmale
- Typische RDS(on) = 14 mΩΩ bei VGS = 18 VV
- Geringe Schaltverluste (typ. EON 1308 J bei 74 A, 800 V)
- 100 % Avalanche-getestet
- Die Bauteile sind RoHS-konform
Applikationen
- Solarwechselrichter
- Ladestationen für Elektrofahrzeuge
- Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS)
- Energiespeichersysteme
- SMPS (Switch Mode Power Supplies)
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Veröffentlichungsdatum: 2022-11-10
| Aktualisiert: 2024-07-22