onsemi NTBGSxDxN15MC & NVBGSxDxN15MC m-Kanal MOSFETs

DieNTBGSxDxN15MC und NVBGSxDxN15MC n-Kanal-MOSFETs von onsemi verfügen über eine Drain-Quellenspannung (V(BR)DSS) von 150 V und ein niedriges Schaltrauschen/EMI. Diese Bauteile bieten einen niedrigen QG und eine geringe Kapazität zur Reduzierung von Treiberverlusten und einen niedrigen RDS(on) zur Reduzierung von Leitungsverlusten. Die NTBGSxDxN15MC und NVBGSxDxN15MC MOSFETs sind in einem bleifreien, halogen-/BFR-freien und RoHS-konformen D2PAK7-Gehäuse erhältlich Zu den typischen Applikationen gehören Elektrowerkzeuge, batteriebetriebene Vakuen, UAV/Drohnen, Materialtransport, BMS/Speicherung, Heimautomatisierung, Industrie-Gabelstapler und Traktionssteuerungssysteme.

Merkmale

  • Niedriger RDS(on) zur Reduzierung von Leitungsverlusten
  • Niedriger QG und geringe Kapazität zur Reduzierung von Treiberverlusten
  • Verringert Schaltrauschen/EMI
  • AEC-Q101-qualifizierter, PAAP-fähiger MOSFET, der sich für Fahrzeuganwendungen eignet
  • Bleifreies, halogenfreies/BFR-freies und RoHS-konformes D2-PAK7 Gehäuse

Applikationen

  • NTBGS4D1N15MC und NTBGS6D5N15MC
    • Elektrowerkzeuge und batteriebetriebene Staubsauger
    • UAVs/Drohnen und Materialtransport
    • BMS/Speicher und Heimautomatisierung
    • Traktionssteuerungssysteme und Industrie-Gabelstapler
  • NTBGS6D5N15MC
    • Schaltnetzteile
    • Leistungsschalter (High-Side-Treiber, Low-Side-Treiber und H-Brücken)
    • Batterie-Verpolungsschutz
    • Magnet-Treiber (ABS, Kraftstoffeinspritzung)
    • Motorsteuerung (WPS, Scheibenwischer, Lüfter, Sitze usw.)
    • Lastschalter (ECU, Fahrgestell, Karosserie)

Konfiguration

Schaltplan - onsemi NTBGSxDxN15MC & NVBGSxDxN15MC m-Kanal MOSFETs
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Teilnummer Datenblatt Beschreibung
NTBGS6D5N15MC NTBGS6D5N15MC Datenblatt MOSFETs PTNG 150V IN SUZHOU D2PAK7L FOR INDUSTRIAL
NTBGS4D1N15MC NTBGS4D1N15MC Datenblatt MOSFETs PTNG 150V IN SUZHOU D2PAK7L FOR INDUSTRIAL
Veröffentlichungsdatum: 2020-08-02 | Aktualisiert: 2024-06-13