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onsemi NTBG014N120M3P Siliziumkarbid(SiC)-MOSFET

Der onsemi  NTBG014N120M3P Siliziumkarbid-(SiC)-MOSFET ist Teil der 1200-V-M3P-Planar-SiC-MOSFET-Produktfamilie. Die MOSFETs von onsemi sind für die Leistungsapplikationen optimiert. Die Planar-Technologie arbeitet zuverlässig mit negativem Gate-Spannungsantrieb und Ausschaltspitzen auf dem Gate. Diese Produktfamilie bietet eine optimale Leistung bei Betrieb mit einem Gate-Drive von 18 V, funktioniert aber auch gut mit einem 15-V-Gate-Drive.

Merkmale

  • Typ. RDS(on) = 14 mΩ
  • Geringe Schaltverluste (typisch EON 1.331 J bei 74 A, 800 V)
  • 100 % Avalanche-getestet

Applikationen

  • Solarwechselrichter
  • Ladestationen für Elektrofahrzeuge
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV)
  • Energiespeichersysteme
  • Schaltnetzteile (SNT)

Videos

Applikations-Schaltung

Applikations-Schaltungsdiagramm - onsemi NTBG014N120M3P Siliziumkarbid(SiC)-MOSFET

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Veröffentlichungsdatum: 2022-11-10 | Aktualisiert: 2024-06-25