onsemi NGTB25N/NGTB40N Bipolare isolierte Gate-Transistoren
Die onsemi NGTB25N und NGTB40N isolierten bipolaren Gate-Transistoren (IGBT) verfügen über eine robuste und kostengünstige Ultra-Field-Stop-Trench-Konstruktion. Durch ihre niedrigen Schaltverluste und eine extrem schnelle Freilaufdiode eignen sie sich hervorragend für Hochfrequenz-Solar-, USV- und Inverterschweiß-Anwendungen. In diesen Geräten ist eine sanfte und schnelle Freilaufdiode mit einer geringen Durchlassspannung integriert.
Merkmale
- Extremely efficient trench with ultra field stop technology
- TJmax = 175°C
- Soft fast reverse recovery diode
- Optimized for high-speed switching
- Low VCES
- TO247-3 package
- Lead−free
Applikationen
- Solar inverters
- Uninterruptible power inverter supplies
- Welding
- Motor drive inverters
- Industrial switching
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| Teilnummer | Datenblatt | Beschreibung |
|---|---|---|
| NGTB40N120FL3WG |  |
IGBTs IGBT 1200V 40A FS3 SOLAR/ |
| NGTB25N120FL3WG | |
IGBTs IGBT 1200V 25A FS3 SOLAR/ |
Veröffentlichungsdatum: 2016-09-14
| Aktualisiert: 2022-04-14